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CSC458	文件：164.46 Kbytes Page：4 Pages	NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR NPNSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTOR LowFrequencyAmplifier. ComplementaryCSA1029	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
D458	文件：221.5 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ?Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=400V(Min) ?HighPowerDissipation-:PC=80W(Max)@TC=25℃ APPLICATIONS ?Designedforhighpoweramplifierandswitchingapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
DG458	文件：131.24 Kbytes Page：10 Pages	Fault-ProtectedSingle8-Ch/Differential4-ChAnalogMultiplexers	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
DG458	文件：90.74 Kbytes Page：8 Pages	Fault-ProtectedSingle8-Ch/Differential4-ChAnalogMultiplexers	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
DG458	文件：160.11 Kbytes Page：13 Pages	Fault-ProtectedSingle8-Ch/Differential4-ChAnalogMultiplexers	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
DG458	文件：162.08 Kbytes Page：13 Pages	Fault-ProtectedSingle8-Ch/Differential4-ChAnalogMultiplexers FEATURES ?FaultandOvervoltageProtection ?AllChannelsOffWhenPowerOff ?Latchup-Proof ?FastSwitching-tA:200ns ?Break-Before-MakeSwitching ?LowOn-Resistance:180W ?LowPowerConsumption:3mW ?TTLandCMOSCompatibleInputs BENEFITS ?ImprovedRuggedness ?PowerLo	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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DG458DJ	文件：160.11 Kbytes Page：13 Pages	Fault-ProtectedSingle8-Ch/Differential4-ChAnalogMultiplexers	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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FCX458	文件：51.9 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconPlanarHighVoltageTransistor Features ●400VoltVCEO ●Ptot=1Watt	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
FCX458	文件：27.74 Kbytes Page：1 Pages	SOT89PNPSILICONPLANARHIGHVOLTAGETRANSISTOR Features ●BVCEO>-400V ●IC=-200mAHighContinuousCurrent ●ICM=-500mAPeakPulseCurrent ●ExcellenthFECharacteristicsupto-100mA ●LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FCX458	文件：29.25 Kbytes Page：1 Pages	SOT89NPNSILICONPLANAR Features ?BVCEO>400V ?IC=225mAContinuousCollectorCurrent ?ICM=500mAPeakPulseCurrent ?ExcellenthFECharacteristicsupto100mA ?LowsaturationvoltageVCE(sat)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FCX458	文件：18.44 Kbytes Page：1 Pages	NPNSILICONPLANARHIGHVOLTAGETRANSISTOR FEATURES 400VoltVCEO Ptot=1Watt COMPLEMENTARYTYPE–FCX558 PARTMARKINGDETAIL–N58	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FCX458	文件：499.8 Kbytes Page：7 Pages	400VNPNHIGHVOLTAGETRANSISTOR	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FCX458	文件：25.12 Kbytes Page：2 Pages	SOT89NPNSILICONPLANARHIGHVOLTAGETRANSISTOR Features ?BVCEO>400V ?IC=225mAContinuousCollectorCurrent ?ICM=500mAPeakPulseCurrent ?ExcellenthFECharacteristicsupto100mA ?LowsaturationvoltageVCE(sat)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FCX458TA	文件：499.8 Kbytes Page：7 Pages	400VNPNHIGHVOLTAGETRANSISTOR	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FCX458TA	文件：25.12 Kbytes Page：2 Pages	SOT89NPNSILICONPLANARHIGHVOLTAGETRANSISTOR Features ?BVCEO>400V ?IC=225mAContinuousCollectorCurrent ?ICM=500mAPeakPulseCurrent ?ExcellenthFECharacteristicsupto100mA ?LowsaturationvoltageVCE(sat)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FDLL458	文件：38.98 Kbytes Page：2 Pages	HighConductanceLowLeakageDiode	NSCNational Semiconductor (TI) 美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司	NSC
FDLL458A	文件：38.98 Kbytes Page：2 Pages	HighConductanceLowLeakageDiode	NSCNational Semiconductor (TI) 美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司	NSC

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
CSC458
功能描述：
TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
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