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CP307分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

CP307
廠商型號(hào)

CP307
參數(shù)屬性

CP307 封裝/外殼為模具；包裝為帶盒（TB）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)；產(chǎn)品描述：TRANS NPN DARL 40V 0.3A DIE
功能描述

Small Signal Transistor NPN - Silicon Darlington Transistor Chip
TRANS NPN DARL 40V 0.3A DIE
封裝外殼

模具
文件大小

212.45 Kbytes
頁面數(shù)量

2 頁
生產(chǎn)廠商 Central Semiconductor Corp
企業(yè)簡稱

Central

中文名稱

美國中央半導(dǎo)體官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-19 19:09:00
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CP307規(guī)格書詳情

CP307屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)。由美國中央半導(dǎo)體制造生產(chǎn)的CP307晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號(hào)放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一，對(duì)于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢(shì)，但對(duì)于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號(hào)的應(yīng)用而言，它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

PROCESS DETAILS

Process EPITAXIAL PLANAR

Die Size 27 x 27 MILS

Die Thickness 9.0 MILS

Base Bonding Pad Area 5.3 x 3.8 MILS

Emitter Bonding Pad Area 5.3 x 6.5 MILS

Top Side Metalization Al - 30,000?

Back Side Metalization Au - 18,000?

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    CP307-2N5308-CT

  • 制造商：

    Central Semiconductor Corp

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 包裝：

    帶盒（TB）

  • 晶體管類型：

    NPN - 達(dá)林頓

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    1.4V @ 200μA，200mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100nA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    20000 @ 100mA，5V

  • 頻率 - 躍遷：

    60MHz

  • 工作溫度：

    -65°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    模具

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    模具

  • 描述：

    TRANS NPN DARL 40V 0.3A DIE

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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