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CP225分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

CP225
廠商型號(hào)

CP225

參數(shù)屬性

CP225 封裝/外殼為模具;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN 40V 0.8A DIE

功能描述

Small Signal Transistor NPN - Amp/Switch Transistor Chip
TRANS NPN 40V 0.8A DIE

封裝外殼

模具

文件大小

211.04 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Central Semiconductor Corp
企業(yè)簡稱

Central

中文名稱

美國中央半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-30 11:34:00

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CP225規(guī)格書詳情

CP225屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)。由美國中央半導(dǎo)體制造生產(chǎn)的CP225晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號(hào)放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一,對(duì)于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢(shì),但對(duì)于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號(hào)的應(yīng)用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

PROCESS DETAILS

Process EPITAXIAL PLANAR

Die Size 19.8 x 19.8 MILS

Die Thickness 9.5 MILS

Base Bonding Pad Area 4.3 x 4.3 MILS

Emitter Bonding Pad Area 4.3 x 4.3 MILS

Top Side Metalization Al - 30,000?

Back Side Metalization Au - 12,000?

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    CP225-2N2218A-WN

  • 制造商:

    Central Semiconductor Corp

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    1V @ 50mA,500mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    10nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 150mA,10V

  • 頻率 - 躍遷:

    250MHz

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    模具

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    模具

  • 描述:

    TRANS NPN 40V 0.8A DIE

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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