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CMPA601C025F

25 W, 6.0 - 12.0 GHz, GaN MMIC, Power Amplifier

Description TheCMPA601C025Fisagalliumnitride(GaN)HighElectronMobility Transistor(HEMT)basedmonolithicmicrowaveintegratedcircuit (MMIC)onaSiliconCarbide(SiC)substrate,usinga0.25μmgate lengthfabricationprocess.Thesemiconductoroffers25Wattsof powerfrom6to12G

WOLFSPEED

WOLFSPEED, INC.

CMPA601C025F

25 W, 6.0 - 12.0 GHz, GaN MMIC, Power Amplifier

CreeCree, Inc

科銳

CMPA601C025D

6-12GHz,40WGaNHPA

Description Wolfspeed'sCMPA601C025Disa40WMMICHPAutilizingWolfspeed'shighperformance,0.25um GaNonSiCproductionprocess.TheCMPA601C025Doperatesfrom6-12GHzandsupportsboth defenseandcommercial-relatedradarandelectronicwarfareapplications.TheCMPA601C025D achieves40

WOLFSPEED

WOLFSPEED, INC.

CMPA601C025D

25W,6.0-12.0GHz,GaNMMIC,PowerAmplifier

CreeCree, Inc

科銳

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CREE
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更多CMPA601C025F供應(yīng)商 更新時間2025-4-4 14:26:00

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