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CLF1G0060-30

BroadbandRFpowerGaNHEMT

Generaldescription TheCLF1G0060-30andCLF1G0060S-30are30WgeneralpurposebroadbandGaN HEMTsusablefromDCto6.0GHz. Featuresandbenefits ?FrequencyofoperationisfromDCto6.0GHz ?30WgeneralpurposebroadbandRFPowerGaNHEMT ?Excellentruggedness(VSWR=10:1) ?Hig

AmpleonAmpleon USA Inc.

安譜隆

CLF1G0060-30

RFManual16thedition

Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

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更多CLF1G0060-30U供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-15 14:32:00

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