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CLF1G0060-10分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

CLF1G0060-10
廠商型號

CLF1G0060-10

參數(shù)屬性

CLF1G0060-10 封裝/外殼為SOT-1227A;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:RF FET HEMT 150V 14.5DB SOT1227A

功能描述

Broadband RF power GaN HEMT
RF FET HEMT 150V 14.5DB SOT1227A

封裝外殼

SOT-1227A

文件大小

1.63098 Mbytes

頁面數(shù)量

18

生產(chǎn)廠商 Ampleon USA Inc.
企業(yè)簡稱

Ampleon安譜隆

中文名稱

安譜隆官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-11 11:11:00

CLF1G0060-10規(guī)格書詳情

CLF1G0060-10屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由安譜隆制造生產(chǎn)的CLF1G0060-10晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

General description

The CLF1G0060-10 and CLF1G0060S-10 are 10 W general purpose broadband GaN

HEMTs usable from DC to 6.0 GHz.

Features and benefits

? Frequency of operation is from DC to 6.0 GHz

? 10 W general purpose broadband RF Power GaN HEMT

? Excellent ruggedness (VSWR = 10 : 1)

? High voltage operation (50 V)

? Thermally enhanced package

Applications

? Commercial wireless infrastructure

(cellular, WiMAX)

? Industrial, scientific, medical

? Radar ? Jammers

? Broadband general purpose amplifier ? EMC testing

? Public mobile radios ? Defense application

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    CLF1G0060-10U

  • 制造商:

    Ampleon USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    GaN HEMT

  • 頻率:

    3GHz ~ 3.5GHz

  • 增益:

    14.5dB

  • 功率 - 輸出:

    10W

  • 封裝/外殼:

    SOT-1227A

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    CDFM2

  • 描述:

    RF FET HEMT 150V 14.5DB SOT1227A

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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