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CIC10J301

Chip Bead CIC/CIS Series For High Current

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半導(dǎo)體

CIM10J301

ChipBeadForEMISuppression

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半導(dǎo)體

CIM10J301NC

ChipBeadCIB/CIMSeriesForEMISuppression

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半導(dǎo)體

GT10J301

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

GT10J301

NCHANNELIGBT(HIGHPOWERSWITCHING,MOTORCONTROLAPPLICATIONS)

DiscreteIGBTs(PDF:875KB)03/2011: http://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=7429 *GT30G124 -BreakdownVoltageVCES(V)@Ta=25C:430V -IGBTCurrentRatingIC(A)@Ta=25C:200A *GT30J124 -BreakdownVoltageVCES(V)@Ta=25C:600V -IGBTCurrentRatingIC(

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

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更多CIC10J301供應(yīng)商 更新時間2025-2-1 15:02:00

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