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CHA7010中文資料UMS數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

CHA7010
廠商型號(hào)

CHA7010

功能描述

X-band GaInP HBT High Power Amplifier

文件大小

161.47 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

7 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 United Monolithic Semiconductors
企業(yè)簡(jiǎn)稱

UMS

中文名稱

United Monolithic Semiconductors官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-20 13:37:00

CHA7010規(guī)格書(shū)詳情

Description

The CHA7010 is a monolithic two-stage GaAs high power amplifier designed for X band applications.

This device is manufactured using a GaInP HBT process, including, via holes through the substrate and air bridges. A nitride layer protects the transistors and the passive components. Special heat removal techniques are implemented to guarantee high reliability.

Main Features

■ 10W output power

■ High gain : > 18dB @ 10GHz

■ High PAE : > 35 @ 10GHz

■ On-chip bias control

■ Linear collector current control

■ High impedance interface for pulse mode

■ Temperature compensated

■ Chip size: 4.74 x 4.36 x 0.1 mm

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    CHA7010

  • 制造商:

    United Monolithic Semiconductors

  • 功能描述:

    MMW POWER AMPLIFIER

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
COSEMITECH(意瑞)
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SOT233L
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