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CGY2013G	文件：86.19 Kbytes Page：12 Pages	GSM 4 W power amplifier GENERALDESCRIPTION TheCGY2013GisaGSMclass4GaAsMonolithicMicrowaveIntegratedCircuit(MMIC)poweramplifierspecificallydesignedtooperateat3.6Vbatterysupply. ThePArequiresonlya30dBharmoniclow-passfiltertocomplywiththeGSMtransmitspuriousspecification.Itcanbe	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
CRO2013A-LF	文件：73.05 Kbytes Page：2 Pages	VOLTAGECONTROLLEDOSCILLATOR	ZCOMM Z-Communications, Inc	ZCOMM
CRO2013A-LF	文件：94.46 Kbytes Page：2 Pages	Voltage-ControlledOscillatorSurfaceMountModule	ZCOMM Z-Communications, Inc	ZCOMM
CRO2013A-LF	文件：112.35 Kbytes Page：2 Pages	Voltage-ControlledOscillatorSurfaceMountModule	ZCOMM Z-Communications, Inc	ZCOMM
CXA2013	文件：197.64 Kbytes Page：23 Pages	EIAJSoundMultiplexingDecoder Description TheCXA2013MisabipolarICdesignedasEIAJTVsoundmultiplexingdecoder,providesvariousfunctionsincludingsoundmultiplexingdemodulation,broadcastmodeidentification(stereo/bilingualdiscriminationdisplay),volume,tonecontrolandmuting. Features ?Adjustment	SonySony Corporation 索尼	Sony
CXA2013M	文件：197.64 Kbytes Page：23 Pages	EIAJSoundMultiplexingDecoder Description TheCXA2013MisabipolarICdesignedasEIAJTVsoundmultiplexingdecoder,providesvariousfunctionsincludingsoundmultiplexingdemodulation,broadcastmodeidentification(stereo/bilingualdiscriminationdisplay),volume,tonecontrolandmuting. Features ?Adjustment	SonySony Corporation 索尼	Sony
CZRB2013	文件：97.36 Kbytes Page：5 Pages	SurfaceMountZenerDiode Voltage:11-100VoltsPower:2.0Watt Features -Forsurfacemountedapplicationsinordertooptimizeboardspace -Lowprofilepackage -Built-instrainrelief -Glasspassivatedjunction -Lowinductance -Excellentclampingcapability -TypicalIlessthan1uAabove11VD -Highte	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
D2013	文件：58.87 Kbytes Page：4 Pages	METALGATERFSILICONFET GOLDMETALLISEDMULTI-PURPOSESILICONDMOSRFFET20W–28V–1GHzPUSH–PULL FEATURES ?SIMPLIFIEDAMPLIFIERDESIGN ?SUITABLEFORBROADBANDAPPLICATIONS ?VERYLOWCrss ?SIMPLEBIASCIRCUITS ?LOWNOISE ?HIGHGAIN–10dBMINIMUM APPLICATIONS ?HF/VHF/UHFCOMMUNICATIONSfrom1MHzto2	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
D2013UK	文件：58.87 Kbytes Page：4 Pages	METALGATERFSILICONFET GOLDMETALLISEDMULTI-PURPOSESILICONDMOSRFFET20W–28V–1GHzPUSH–PULL FEATURES ?SIMPLIFIEDAMPLIFIERDESIGN ?SUITABLEFORBROADBANDAPPLICATIONS ?VERYLOWCrss ?SIMPLEBIASCIRCUITS ?LOWNOISE ?HIGHGAIN–10dBMINIMUM APPLICATIONS ?HF/VHF/UHFCOMMUNICATIONSfrom1MHzto2	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
DMN2013UFDE	文件：220.14 Kbytes Page：6 Pages	20VN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMN2013UFDEQ	文件：532.33 Kbytes Page：8 Pages	20VN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Features ?0.6mmProfile–IdealforLowProfileApplications ?PCBFootprintof4mm2 ?LowGateThresholdVoltage ?ESDProtectedGate ?TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) ?HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) ?TheDMN2013UFDEQissuitableforautomotive	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMN2013UFDEWQ	文件：614.8 Kbytes Page：7 Pages	20VN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Features ?0.6mmProfile–IdealforLowProfileApplications ?LowGateThresholdVoltage ?ESDProtectedGate ?AdditionalTin-PlatedonSidewallPadsforOpticalSolder Inspection ?TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) ?HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMN2013UFX	文件：280.23 Kbytes Page：6 Pages	LowOn-Resistance	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
E2013	文件：165.95 Kbytes Page：6 Pages	DistinctiveCharacteristics	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
E-2013	文件：104.48 Kbytes Page：1 Pages	SERIES2000UPRIGHTCABINETRACK	BUD Bud Industries, Inc.	BUD
E2013-BA	文件：159.72 Kbytes Page：6 Pages	LightDutyMiniatureToggles	NKKNihon Kaiheiki Industry Co. Ltd. 恩楷楷恩楷楷(上海)開關(guān)有限公司	NKK
E2013-BB	文件：159.72 Kbytes Page：6 Pages	LightDutyMiniatureToggles	NKKNihon Kaiheiki Industry Co. Ltd. 恩楷楷恩楷楷(上海)開關(guān)有限公司	NKK
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詳細參數(shù)

型號：
CGY2013G
制造商：
PHILIPS
制造商全稱：
NXP Semiconductors
功能描述：
GSM 4 W power amplifier

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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上海專毅電子科技有限公司	CGY2013G	PHI	17+	QFP48	9988	只做原裝進口,自己庫存	詢價
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更多CGY2013G供應(yīng)商更新時間2025-1-18 19:28:00

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