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CGHV40030

30 W, DC - 6 GHz, 50 V, GaN HEMT

Description Wolfspeed’sCGHV40030isanunmatched,galliumnitride(GaN)highelectron mobilitytransistor(HEMT)designedspecificallyforhighefficiency,highgain andwidebandwidthcapabilities.ThedevicecanbedeployedforL-,S-and C-Bandamplifierapplications.Thedatasheetspecifi

WOLFSPEED

WOLFSPEED, INC.

CGHV40030

30 W, DC - 6 GHz, 50V, GaN HEMT

CreeCree, Inc

科銳

CGHV40030F

30 W, DC - 6 GHz, 50V, GaN HEMT

CreeCree, Inc

科銳

CGHV40030F-AMP

30 W, DC - 6 GHz, 50V, GaN HEMT

CreeCree, Inc

科銳

CGHV40030P

30 W, DC - 6 GHz, 50V, GaN HEMT

CreeCree, Inc

科銳

CGHV40030-TB

30 W, DC - 6 GHz, 50V, GaN HEMT

CreeCree, Inc

科銳

CGHV40030F-AMP2

包裝:散裝 類別:開發(fā)板,套件,編程器 射頻評估和開發(fā)套件,開發(fā)板 描述:CGHV40030F DEVELOPMENT BOARD

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CGHV40030P

Package:440196;包裝:帶 類別:分立半導體產品 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻 描述:30W, GAN HEMT, 50V, DC-6.0GHZ, P

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CGHV40030-TB

包裝:散裝 類別:開發(fā)板,套件,編程器 射頻評估和開發(fā)套件,開發(fā)板 描述:TEST FIXTURE FOR CGHV40300F

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CPT40030

SchottkyPowerMod

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

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更多CGHV40030供應商 更新時間2025-1-17 15:01:00