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CGHV35400F開發(fā)板套件編程器的射頻評(píng)估開發(fā)套件開發(fā)板規(guī)格書PDF中文資料

CGHV35400F
廠商型號(hào)

CGHV35400F

參數(shù)屬性

CGHV35400F 包裝為散裝;類別為開發(fā)板套件編程器的射頻評(píng)估開發(fā)套件開發(fā)板;產(chǎn)品描述:TEST FIXTURE FOR CGHV35400F

功能描述

400 W, 2.9 - 3.5 GHz, 50-Ohm Input/Output Matched, GaN HEMT for S-Band Radar Systems
TEST FIXTURE FOR CGHV35400F

文件大小

928.64 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

11 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 WOLFSPEED, INC.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

WOLFSPEED

中文名稱

WOLFSPEED, INC.官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-4 9:04:00

CGHV35400F規(guī)格書詳情

CGHV35400F屬于開發(fā)板套件編程器的射頻評(píng)估開發(fā)套件開發(fā)板。由WOLFSPEED, INC.制造生產(chǎn)的CGHV35400F射頻評(píng)估和開發(fā)套件,開發(fā)板本系列中的產(chǎn)品適用于在已知實(shí)施環(huán)境中,提供能訪問射頻相關(guān)器件的功能或者有助于訪問該功能。所含的焦點(diǎn)產(chǎn)品范圍從射頻信號(hào)鏈元器件(如放大器和檢測(cè)器)到模塊化收發(fā)器,以及不直接包含焦點(diǎn)產(chǎn)品的適配器硬件,但此類硬件可供方便地訪問用戶單獨(dú)提供的特定射頻產(chǎn)品或系列。

Description

Cree’s CGHV35400F is a gallium nitride (GaN) high electron

mobility transistor (HEMT)designed specifically with high

efficiency, high gain and wide bandwidth capabilities, which

makes the CGHV35400F ideal for 2.9 - 3.5 GHz S-Band radar

amplifier applications. The transistor is matched to 50-ohms on

the input and 50-ohms on the output. The CGHV35400 is based on

Cree’s high power density 50 V, 0.4 μm GaN on silicon carbide

(SiC) foundry process. The transistor is supplied in a ceramic/

metal flange package, type 440225.

Features

? 2.9 - 3.5 GHz Operation

? 500 W Typical Output Power

? 11 dB Power Gain

? 70 Typical Drain Efficiency

? 50 Ohm Internally Matched

? <0.3 dB Pulsed Amplitude Droop

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    CGHV35400F-TB

  • 制造商:

    Wolfspeed, Inc.

  • 類別:

    開發(fā)板,套件,編程器 > 射頻評(píng)估和開發(fā)套件,開發(fā)板

  • 包裝:

    散裝

  • 類型:

    FET

  • 頻率:

    2.9GHz ~ 3.5GHz

  • 配套使用/相關(guān)產(chǎn)品:

    CGHV35400

  • 所含物品:

    部分組裝板 - 不包括主要 IC

  • 描述:

    TEST FIXTURE FOR CGHV35400F

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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