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CEP75N10	文件：403.44 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■100V,72A,RDS(ON)=13mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
HY75N10T	文件：244.29 Kbytes Page：4 Pages	100V/75AN-ChannelEnhancementModeMOSFET	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
IXFH75N10	文件：371.93 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=20mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFH75N10	文件：295.27 Kbytes Page：8 Pages	HIPERFETPowerMOSFTETs HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFH75N10	文件：94.17 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFH75N10Q	文件：154.74 Kbytes Page：2 Pages	HIPERFETPOWERMOSFETSQCLASS	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFH75N10Q	文件：371.77 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=20mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFM75N10	文件：94.17 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFM75N10	文件：275.5 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=20mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFM75N10	文件：295.27 Kbytes Page：8 Pages	HIPERFETPowerMOSFTETs HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFT75N10Q	文件：154.74 Kbytes Page：2 Pages	HIPERFETPOWERMOSFETSQCLASS	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTA75N10P	文件：581.24 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementMode	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTA75N10P	文件：266.63 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXTC75N10	文件：296.25 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor ?FEATURES ?DrainSourceVoltage-:VDSS=100V(Min) ?Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤20m?@VGS=10V ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation ?APPLICATION ?DC/DCConverter ?Idealforhigh-frequencyswitching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXTC75N10	文件：73.18 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancementMode MegaMOS?FET N-ChannelEnhancementMode Features ?Internationalstandardpackages ?LowRDS(on)HDMOSTMprocess ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?Lowpackageinductance(	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTH75N10	文件：53.34 Kbytes Page：2 Pages	MegaMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTH75N10	文件：111.63 Kbytes Page：4 Pages	MegaMOSFET N-ChannelEnhancementMode Features ?Internationalstandardpackages ?LowRDS(on)HDMOS?process ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?Lowpackageinductance(	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTH75N10	文件：381.13 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
CEP75N10
制造商：
CET
制造商全稱：
Chino-Excel Technology
功能描述：
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市華來深電子有限公司	CEP75N10	CET	23+	TO-220	8560	受權(quán)代理!全新原裝現(xiàn)貨特價(jià)熱賣!	詢價(jià)
深圳市航潤(rùn)創(chuàng)能電子集團(tuán)有限公司	CEP75N10	CET	21+	TO-220	100	原裝現(xiàn)貨假一賠十	詢價(jià)
深圳市國(guó)宇半導(dǎo)體科技有限公司	CEP75N10	C	23+	TO-220	10000	公司只做原裝正品	詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	CEP75N10	CET/華瑞	23+	TO-220	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	CEP75N10	C	22+	TO-220	6000	十年配單,只做原裝	詢價(jià)
深圳市匯萊威科技有限公司	CEP75N10		CET	TO-220	68900	原包原標(biāo)簽100%進(jìn)口原裝常備現(xiàn)貨!	詢價(jià)
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深圳市威雅利發(fā)展有限公司	CEP75N10	CET	21+	TO-220	10	一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力	詢價(jià)
深圳市維爾達(dá)電子有限公司	CEP75N10	CET	2224+	TO-220	14677	一級(jí)代理/分銷渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) 十年芯程一路只做原裝正品	詢價(jià)
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更多CEP75N10供應(yīng)商更新時(shí)間2024-10-25 13:13:00

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