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CEP13N10L中文資料華瑞數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

CEP13N10L
廠商型號(hào)

CEP13N10L

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

589.93 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

4 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 CET-MOS Technology Corp.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

CET-MOS華瑞

中文名稱

華瑞功率電子股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-3-12 22:30:00

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CEP13N10L規(guī)格書(shū)詳情

FEATURES

100V, 12.8A, RDS(ON) = 175mW @VGS = 10V.

Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).

High power and current handing capability.

TO-220 & TO-263 package.

Lead free product is acquired.

RDS(ON) = 185mW @VGS = 5V.

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    CEP13N10L

  • 制造商:

    CET

  • 制造商全稱:

    Chino-Excel Technology

  • 功能描述:

    N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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