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CED50N06G中文資料華瑞數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

CED50N06G
廠商型號

CED50N06G

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

508.65 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 CET-MOS Technology Corp.
企業(yè)簡稱

CET-MOS華瑞

中文名稱

華瑞功率電子股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-4-10 20:00:00

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CED50N06G規(guī)格書詳情

FEATURES

60V, 40A , RDS(ON) = 20mW @VGS = 10V.

Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).

High power and current handing capability.

TO-251 & TO-252 package.

RoHS compliant.

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
CET
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TO-251
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原裝正品,假一罰十!
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CET/華瑞
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NA/
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原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票
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