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CED20N06	文件：124.65 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■60V,20A,RDS(ON)=55m?@VGS=10V. RDS(ON)=75m?@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CED20N06	文件：84.8 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
CEP20N06	文件：86.42 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,28A,RDS(ON)=40m?@VGS=10V. RDS(ON)=50m?@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEU20N06	文件：84.8 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
CEU20N06	文件：124.65 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,20A,RDS(ON)=55m?@VGS=10V. RDS(ON)=75m?@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEU20N06	文件：899.41 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
CHM20N06PAPT	文件：200.41 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor VOLTAGE60VoltsCURRENT20Ampere FEATURE ???????Smallpackage.(TO-252A) SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. APPLICATION Servomotorcontrol. PowerMOSFETgatedrivers. Otherswitchingapplications.	CHENMKOchenmko 力勤股份有限公司	CHENMKO
CJU20N06	文件：2.12246 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長電科技江蘇長電科技股份有限公司	JIANGSU
CJU20N06	文件：2.50706 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
CMD20N06L	文件：899.26 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
D20N06E	文件：468.31 Kbytes Page：6 Pages	20Amps,55VoltsN-CHANNELPowerMOSFET	CHONGQINGChongqing Pingwei Enterprise co.,Ltd 重慶平偉實業(yè)重慶平偉實業(yè)股份有限公司	CHONGQING
EMB20N06E	文件：219.6 Kbytes Page：5 Pages	N??hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
FQB20N06	文件：669.82 Kbytes Page：9 Pages	60VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQB20N06L	文件：680.44 Kbytes Page：9 Pages	60VLOGICN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQD20N06	文件：660.63 Kbytes Page：9 Pages	60VN-ChannelMOSFET Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor?’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhigha	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQD20N06	文件：899.11 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
FQD20N06	文件：305.22 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=16.8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.063Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FQD20N06	文件：903.77 Kbytes Page：6 Pages	60VN-ChannelMOSFET VDS60V ID(atVGS=10V)30A RDS(ON)(atVGS=10V)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺半導(dǎo)體廣東友臺半導(dǎo)體有限公司	UMW
FQD20N06	文件：401.36 Kbytes Page：6 Pages	60VN-ChannelMOSFET GeneralDescription ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespecially tailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovide superiorswitchingperformanceandhighavalancheenergy strength.Thesedevicesaresuitableforswitchedmode powersupplies,audioamplifier,DCmotorcontrol,and	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導(dǎo)體	EVVOSEMI
FQD20N06L	文件：664.69 Kbytes Page：9 Pages	60VLOGICN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
CED20N06
功能描述：
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
齊創(chuàng)科技(上海,北京,青島)有限公司	CED20N06	SR	23+	TO-251	5000	原裝正品,假一罰十	詢價
瀚佳科技(深圳)有限公司	CED20N06	CET	2020+	TO-251	16800	絕對原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,假一賠十,價格優(yōu)勢!?	詢價
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	CED20N06	JINGDAO/晶導(dǎo)微	23+	SMA(DO-214AC)	69820	終端可以免費供樣,支持BOM配單!	詢價
深圳市永貝爾科技有限公司	CED20N06	CET	23+	原廠原包	19960	只做進(jìn)口原裝終端工廠免費送樣	詢價
深圳市國宇半導(dǎo)體科技有限公司	CED20N06	C	23+	TO-251	10000	公司只做原裝正品	詢價
深圳市河鋒鑫科技有限公司	CED20N06	C	22+	TO-251	6000	十年配單,只做原裝	詢價
易創(chuàng)佳業(yè)科技（深圳）有限公司	CED20N06	C	23+	TO-251	6000	原裝正品，支持實單	詢價
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	CED20N06	CET	23+	TO-251	7300	專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨	詢價
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	CED20N06	CET	23+	TO-251	7300	專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨	詢價
深圳市卓越微芯電子有限公司	CED20P06	CET	2020+	TO-251	100	百分百原裝正品真實公司現(xiàn)貨庫存本公司只做原裝可	詢價

更多CED20N06供應(yīng)商更新時間2024-12-25 15:36:00

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