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CEB60N06G中文資料華瑞數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

CEB60N06G
廠商型號(hào)

CEB60N06G

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

647.86 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

4 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 CET-MOS Technology Corp.
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

CET-MOS華瑞

中文名稱(chēng)

華瑞功率電子股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-4-10 8:00:00

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CEB60N06G規(guī)格書(shū)詳情

FEATURES

60V, 60A, RDS(ON) = 16mW @VGS = 10V.

Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).

High power and current handing capability.

TO-220 & TO-263 package.

Lead free product is acquired.

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    CEB60N06G

  • 制造商:

    CET

  • 制造商全稱(chēng):

    Chino-Excel Technology

  • 功能描述:

    N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
CET
23+
原廠原包
19960
只做進(jìn)口原裝 終端工廠免費(fèi)送樣
詢價(jià)
VBsemi
21+
TO263
10065
一級(jí)代理,專(zhuān)注軍工、汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
詢價(jià)
VBsemi
2020+
T0-263
80000
只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開(kāi)13%增
詢價(jià)
VIA
24+
BGA
7130
公司現(xiàn)貨庫(kù)存,支持實(shí)單
詢價(jià)
VBSEMI/微碧半導(dǎo)體
24+
TO263
48000
臺(tái)積電晶圓長(zhǎng)電封裝微碧原裝可長(zhǎng)久大量供應(yīng)
詢價(jià)
CET
24+
TO-263
16800
絕對(duì)原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,假一賠十,價(jià)格優(yōu)勢(shì)!?
詢價(jià)
VB
25+
TO-263(S)
3068
原裝正品,假一罰十!
詢價(jià)
CET
24+
5000
詢價(jià)
VBsemi
24+
TO263
11000
原裝正品 有掛有貨 假一賠十
詢價(jià)
CET
24+
TO-263
90000
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨假一罰十價(jià)格合理
詢價(jià)