CEB550中文資料華瑞數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
CEB550 |
| 功能描述 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 文件大小 |
643.01 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
4 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | CET-MOS Technology Corp. |
| 企業(yè)簡稱 |
CET-MOS【華瑞】 |
| 中文名稱 | 華瑞功率電子股份有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-4-8 20:52:00 |
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CEB550規(guī)格書詳情
FEATURES
100V, 33A, RDS(ON) = 40mW @VGS = 10V.
Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).
High power and current handing capability.
TO-220 & TO-263 package.
RoHS compliant.
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
CET |
2020+ |
TO-263 |
1328 |
百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可 |
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CET |
24+/25+ |
86 |
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CET |
23+ |
TO263 |
7000 |
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CEP |
2020+ |
TO-263 |
35000 |
100%進(jìn)口原裝正品公司現(xiàn)貨庫存 |
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VIAT |
24+ |
BGA |
18766 |
公司現(xiàn)貨庫存,支持實(shí)單 |
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TO-263 |
23+ |
NA |
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CET |
25+ |
SMD2 |
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CET |
23+ |
原廠原包 |
19960 |
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CET |
23+ |
TO220 |
7635 |
全新原裝優(yōu)勢 |
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CET |
2018+ |
TO263 |
6528 |
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