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CEB13N5B中文資料華瑞數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

CEB13N5B
廠商型號(hào)

CEB13N5B

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

534.16 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

5 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 CET-MOS Technology Corp.
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

CET-MOS華瑞

中文名稱(chēng)

華瑞功率電子股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-4-11 19:55:00

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CEB13N5B規(guī)格書(shū)詳情

FEATURES

Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).

High power and current handing capability.

RoHS compliant.

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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一級(jí)代理,專(zhuān)注軍工、汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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原廠授權(quán)一級(jí)代理,專(zhuān)業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種
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TO-263
30000
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨供應(yīng),原裝 假一罰十
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