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CEB02N7中文資料華瑞數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

廠商型號(hào)	CEB02N7
功能描述	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
文件大小	134.8 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量	4 頁(yè)
生產(chǎn)廠商	Chino-Excel Technology
企業(yè)簡(jiǎn)稱	CET【華瑞】
中文名稱	華瑞股份有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)	下載地址一下載地址二
更新時(shí)間	2025-1-1 13:42:00

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES

Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).

High power and current handing capability.

TO-220 & TO-263 & TO-262 package & TO-220F full-pak for through hole.

Lead free product is acquired.

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
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