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CE3514M4分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

CE3514M4
廠商型號

CE3514M4

參數(shù)屬性

CE3514M4 封裝/外殼為4-SMD,扁平引線;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻;產(chǎn)品描述:RF FET 4V 12GHZ SOT343

功能描述

12GHz Low Noise FET in Dual Mold Plastic PKG
RF FET 4V 12GHZ SOT343

文件大小

746.77 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 California Eastern Labs
企業(yè)簡稱

CEL

中文名稱

California Eastern Labs官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二

更新時間

2024-11-8 19:56:00

CE3514M4規(guī)格書詳情

CE3514M4屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻。California Eastern Labs制造生產(chǎn)的CE3514M4晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    CE3514M4

  • 制造商:

    CEL

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    pHEMT FET

  • 頻率:

    12GHz

  • 增益:

    12.2dB

  • 額定電流(安培):

    15mA

  • 噪聲系數(shù):

    0.62dB

  • 功率 - 輸出:

    125mW

  • 封裝/外殼:

    4-SMD,扁平引線

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    4 個超微型模具

  • 描述:

    RF FET 4V 12GHZ SOT343

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
CEL
24+
4-SMD,扁平引線
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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23+
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