CE3514M4分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
CE3514M4 |
參數(shù)屬性 | CE3514M4 封裝/外殼為4-SMD,扁平引線;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻;產(chǎn)品描述:RF FET 4V 12GHZ SOT343 |
功能描述 | 12GHz Low Noise FET in Dual Mold Plastic PKG |
文件大小 |
746.77 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
8 頁 |
生產(chǎn)廠商 | California Eastern Labs |
企業(yè)簡稱 |
CEL |
中文名稱 | California Eastern Labs官網(wǎng) |
原廠標識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2024-11-8 19:56:00 |
CE3514M4規(guī)格書詳情
CE3514M4屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻。California Eastern Labs制造生產(chǎn)的CE3514M4晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
CE3514M4
- 制造商:
CEL
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
- 包裝:
托盤
- 晶體管類型:
pHEMT FET
- 頻率:
12GHz
- 增益:
12.2dB
- 額定電流(安培):
15mA
- 噪聲系數(shù):
0.62dB
- 功率 - 輸出:
125mW
- 封裝/外殼:
4-SMD,扁平引線
- 供應(yīng)商器件封裝:
4 個超微型模具
- 描述:
RF FET 4V 12GHZ SOT343
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
CEL |
24+ |
4-SMD,扁平引線 |
30000 |
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品 |
詢價 | ||
California Eastern Laboratorie |
23+ |
6000 |
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詢價 | |||
CEL |
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CEL |
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CEL |
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CEL射頻結(jié)柵場效應(yīng)晶體管 VJ0805 |
24+ |
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68900 |
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NA |
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