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CD4060BMN	文件：136.27 Kbytes Page：6 Pages	14-Stage,12-StageRippleCarryBinaryCounters	NSCNational Semiconductor (TI) 美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司	NSC
CD4060BMS	文件：91.22 Kbytes Page：9 Pages	CMOS14StageRipple-CarryBinaryCounter/DividerandOscillator Description CD4060BMSconsistsofanoscillatorsectionand14ripplecarrybinarycounterstages.TheoscillatorconfigurationallowsdesignofeitherRCorcrystaloscillatorcircuits.ARESETinputisprovidedwhichresetsthecountertotheallO’sstateanddisablestheoscillator.Ahigh	Intersil Intersil Corporation	Intersil
CD4060BMS	文件：405 Kbytes Page：9 Pages	CMOS14StageRipple-CarryBinaryCounter/DividerandOscillator Features ?HighVoltageType(20VRating) ?CommonReset ?12MHzClockRateat15V ?FullyStaticOperation ?BufferedInputsandOutputs ?SchmittTriggerInputPulseLine ?Standardized,SymmetricalOutputCharacteristics ?100TestedforQuiescentCurrentat20V ?5V,10Vand15VParam	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
CD4060BMT	文件：1.53057 Mbytes Page：27 Pages	CMOS14-STAGERipple-CarryBinaryCounter/DividerandOscillator	TITexas Instruments 德州儀器美國(guó)德州儀器公司	TI
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CD4060BNSR	文件：1.53057 Mbytes Page：27 Pages	CMOS14-STAGERipple-CarryBinaryCounter/DividerandOscillator	TITexas Instruments 德州儀器美國(guó)德州儀器公司	TI
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CD4060BPWR	文件：1.52893 Mbytes Page：27 Pages	CMOS14-StageRipple-CarryBinaryCounter/DividerandOscilliator	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
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CEB4060	文件：508.15 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,17A,RDS(ON)=75m?@VGS=10V. RDS(ON)=90m?@VGS=5.0V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■TO-220&TO-263package. ■Leadfreeproductisacquired.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEB4060	文件：507.03 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,17A,RDS(ON)=85m?@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■TO-220&TO-263package. ■Leadfreeproductisacquired.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEB4060A	文件：507.03 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,17A,RDS(ON)=85m?@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■TO-220&TO-263package. ■Leadfreeproductisacquired.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
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CEB4060A	文件：624.05 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,17A,RDS(ON)=85mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEB4060AL	文件：508.15 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,17A,RDS(ON)=75m?@VGS=10V. RDS(ON)=90m?@VGS=5.0V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■TO-220&TO-263package. ■Leadfreeproductisacquired.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
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更多CD4060BMJ-MIL供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-29 8:00:00

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