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CEB1012	文件：498.1 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldTransistor FEATURES ■120V,10A,RDS(ON)=120mΩ@VGS=5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
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CEB1012L	文件：497.34 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldTransistor FEATURES ■120V,10A,RDS(ON)=120mΩ@VGS=5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
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CED1012	文件：379.29 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■120V,10A,RDS(ON)=120mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CED1012L	文件：695.69 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■120V,10A,RDS(ON)=120mΩ@VGS=5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEP1012	文件：498.1 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldTransistor FEATURES ■120V,10A,RDS(ON)=120mΩ@VGS=5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEP1012L	文件：497.34 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldTransistor FEATURES ■120V,10A,RDS(ON)=120mΩ@VGS=5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEU1012	文件：379.29 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■120V,10A,RDS(ON)=120mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
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CFA1012	文件：139.2 Kbytes Page：3 Pages	PNPSILICONPLANARPOWERTRANSISTOR PNPSILICONPLANARPOWERTRANSISTOR TO-220FPFullyIsolatedPlasticPackage ComplementaryCFC2562 HighCurrentSwitchingApplications	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
CFP-1012TB	文件：451.75 Kbytes Page：5 Pages	PIANOSWITCHES(FULLPITCH)	COPALCopal Electronics 尼得科科智博電子尼得科科智博電子(上海)有限公司	COPAL
CHM1012LPAPT	文件：199.13 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor VOLTAGE120VoltsCURRENT10Ampere FEATURE Smallpackage.(TO-252A) SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. APPLICATION Servomotorcontrol. PowerMOSFETgatedrivers. Otherswitchingapplications.	CHENMKOchenmko 力勤股份有限公司	CHENMKO
CHM1012PAPT	文件：198.6 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	CHENMKOchenmko 力勤股份有限公司	CHENMKO
CJ1012	文件：2.82626 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長電科技江蘇長電科技股份有限公司	JIANGSU
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CJ1012-G	文件：142.04 Kbytes Page：5 Pages	MOSFET	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CJW1012	文件：723.09 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司	LUGUANG
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詳細參數

型號：
CCG-1012
制造商：
Bivar

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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