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CAT24M01YI-GT3JN_集成電路（IC） 存儲器-安森美半導(dǎo)體

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原廠料號：CAT24M01YI-GT3JN品牌：onsemi

資料說明：IC EEPROM 1MBIT I2C 1MHZ 8TSSOP

CAT24M01YI-GT3JN是集成電路（IC） > 存儲器。制造商ONSEMI/安森美半導(dǎo)體生產(chǎn)封裝8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）的CAT24M01YI-GT3JN存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

  • 芯片型號：

    cat24m01yi-gt3jn

  • 規(guī)格書：

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  • 企業(yè)簡稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 資料說明：

    IC EEPROM 1MBIT I2C 1MHZ 8TSSOP

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    CAT24M01YI-GT3JN

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲器類型：

    非易失

  • 存儲器格式：

    EEPROM

  • 技術(shù)：

    EEPROM

  • 存儲容量：

    1Mb（128K x 8）

  • 存儲器接口：

    I2C

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    5ms

  • 電壓 - 供電：

    1.8V ~ 5.5V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    8-TSSOP

  • 描述：

    IC EEPROM 1MBIT I2C 1MHZ 8TSSOP

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