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HFA3127B	文件：57.7 Kbytes Page：9 Pages	UltraHighFrequencyTransistorArrays TheHFA3046,HFA3096,HFA3127andtheHFA3128areUltraHighFrequencyTransistorArraysthatarefabricatedfromIntersilCorporation’scomplementarybipolarUHF-1process.Eacharrayconsistsoffivedielectricallyisolatedtransistorsonacommonmonolithicsubstrate.TheNPNtransistorsexhibi	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HFA3127B	文件：298.68 Kbytes Page：13 Pages	UltraHighFrequencyTransistorArrays	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HFA3127BZ	文件：790.14 Kbytes Page：16 Pages	UltraHighFrequencyTransistorArrays Features ?NPNtransistor(fT)..........................8GHz ?NPNcurrentgain(hFE)........................130 ?NPNearlyvoltage(VA)........................50V ?PNPtransistor(fT)................	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
HFA3127BZ	文件：699.33 Kbytes Page：14 Pages	UltraHighFrequencyTransistorArrays TheHFA3046,HFA3096,HFA3127andtheHFA3128areUltraHighFrequencyTransistorArraysthatarefabricatedfromIntersilCorporation’scomplementarybipolarUHF-1process.Eacharrayconsistsoffivedielectricallyisolatedtransistorsonacommonmonolithicsubstrate.TheNPNtransistorsexhibi	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
HFA3127BZ	文件：298.68 Kbytes Page：13 Pages	UltraHighFrequencyTransistorArrays	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HFA3127R	文件：298.68 Kbytes Page：13 Pages	UltraHighFrequencyTransistorArrays	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HFA3127RZ	文件：298.68 Kbytes Page：13 Pages	UltraHighFrequencyTransistorArrays	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HFA3127RZ	文件：790.14 Kbytes Page：16 Pages	UltraHighFrequencyTransistorArrays Features ?NPNtransistor(fT)..........................8GHz ?NPNcurrentgain(hFE)........................130 ?NPNearlyvoltage(VA)........................50V ?PNPtransistor(fT)................	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
HFA3127RZ	文件：699.33 Kbytes Page：14 Pages	UltraHighFrequencyTransistorArrays TheHFA3046,HFA3096,HFA3127andtheHFA3128areUltraHighFrequencyTransistorArraysthatarefabricatedfromIntersilCorporation’scomplementarybipolarUHF-1process.Eacharrayconsistsoffivedielectricallyisolatedtransistorsonacommonmonolithicsubstrate.TheNPNtransistorsexhibi	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
HM3127	文件：485.42 Kbytes Page：9 Pages	0.3A100KHz80VStep-DownDC-DCConverter	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
CA3127M
功能描述：
TRANSISTOR ARRAY NPN 16-SOIC
RoHS：
否
類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管(BJT)
系列：
-
產(chǎn)品變化通告：
Product Discontinuation 17/Dec/2010
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1
晶體管類型：
NPN 電壓 -
集電極發(fā)射極擊穿（最大）：
4.7V 頻率 -
轉(zhuǎn)換：
47GHz
噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）：
0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz
增益：
9dB ~ 31dB 功率 -
最大：
160mW 在某 Ic、Vce
時(shí)的最小直流電流增益(hFE)：
160 @ 25mA，3V 電流 -
集電極(Ic)（最大）：
45mA
安裝類型：
表面貼裝
封裝/外殼：
4-SMD，扁平引線
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
4-TSFP
包裝：
Digi-Reel®
其它名稱：
BFP 740FESD E6327DKR

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
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更多CA3127M供應(yīng)商更新時(shí)間2025-4-14 10:12:00

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