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C3225X7S2A475M電容器的陶瓷電容器規(guī)格書PDF中文資料

C3225X7S2A475M
廠商型號

C3225X7S2A475M
參數(shù)屬性

C3225X7S2A475M 封裝/外殼為1210（3225 公制）；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為電容器的陶瓷電容器；C3225X7S2A475M應(yīng)用范圍：通用；產(chǎn)品描述：CAP CER 4.7UF 100V X7S 1210
功能描述

Airfast RF Power GaN Transistor
封裝外殼

1210（3225 公制）
文件大小

209.82 Kbytes
頁面數(shù)量

13 頁
生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

nxp【恩智浦】

中文名稱

恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-13 14:36:00

C3225X7S2A475M規(guī)格書詳情

This 27 dBm RF power GaN transistor is designed for cellular base station

applications covering the frequency range of 2496 to 2690 MHz.

Features

? High terminal impedances for optimal broadband performance

? Designed for low complexity linearization systems

? Universal broadband driver

? Optimized for massive MIMO active antenna systems for 5G base stations

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    C3225X7S2A475M200AB

  • 制造商：

    TDK Corporation

  • 類別：

    電容器 > 陶瓷電容器

  • 系列：

    C

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 容差：

    ±20%

  • 電壓 - 額定：

    100V

  • 溫度系數(shù)：

    X7S

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 125°C

  • 應(yīng)用：

    通用

  • 安裝類型：

    表面貼裝，MLCC

  • 封裝/外殼：

    1210（3225 公制）

  • 大小 / 尺寸：

    0.126" 長 x 0.098" 寬（3.20mm x 2.50mm）

  • 厚度（最大值）：

    0.087"（2.20mm）

  • 描述：

    CAP CER 4.7UF 100V X7S 1210

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
TDK/東電化
2018+
SMD
17000
原裝進口現(xiàn)貨優(yōu)勢價格出售
 詢價
TDK/東電化
2223+
C1210
26800
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風險
 詢價
TDK
23+
SMD
55000
1210 X7S 100V 4.7UF 20%
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TDK/東電化
23+
10000
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
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正納10年以上分銷經(jīng)驗原裝進口正品做服務(wù)做口碑有支持
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