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C2M1000170J

Silicon Carbide Power MOSFET

CreeCree, Inc

科銳

C2M1000170D

SiCN-ChannelMOSFET

FEATURES ·HighBlockingVoltagewithLowOn-Resistance ·RDS(ON)=1.4Ω(MAX)@VGS=20VTj=25℃ ·HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance ·EasytoParallelandSimpletoDrive APPLICATIONS ·SolarInverters ·SwitchModePowerSupplies ·High-voltageCapacitiveLoads ·Motordrives

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

C2M1000170D

SiliconCarbidePowerMOSFETC2MTMMOSFETTechnologyN-ChannelEnhancementMode

Features ?HighSpeedSwitchingwithLowCapacitances ?HighBlockingVoltagewithLowRDS(on) ?EasytoParallelandSimpletoDrive ?Ultra-lowDrain-gatecapacitance ?HalogenFree,RoHSCompliant Benefits ?HigherSystemEfficiency ?IncreasedSystemSwitchingFrequency ?ReducedCool

WOLFSPEED

WOLFSPEED, INC.

C2M1000170D

SiliconCarbidePowerMOSFETZ-FETTMMOSFET

CreeCree, Inc

科銳

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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更多C2M1000170J供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-28 16:20:00