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BUV27G分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料

BUV27G
廠商型號

BUV27G
參數(shù)屬性

BUV27G 封裝/外殼為TO-220-3；包裝為托盤；類別為分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產品描述：TRANS NPN 120V 12A TO220
功能描述

NPN Silicon Power Transistor
TRANS NPN 120V 12A TO220
文件大小

58.08 Kbytes
頁面數(shù)量

4 頁
生產廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI【安森美半導體】

中文名稱

安森美半導體公司官網
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2024-12-28 18:41:00

BUV27G規(guī)格書詳情

BUV27G屬于分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個。由安森美半導體公司制造生產的BUV27G晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個分立式雙極結型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構建模擬信號放大功能。作為大批量生產的第一批半導體器件之一，對于涉及高頻開關和在大電流或高電壓下工作的應用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢，但對于需要以極小的噪聲和失真構建模擬信號的應用而言，它們仍然是首選技術。

NPN Silicon Power Transistor

This device is designed for use in switching regulators and motor control.

Features

? Low Collection Emitter Saturation Voltage

? Fast Switching Speed

? Pb?Free Package is Available*

產品屬性

更多
  • 產品編號：

    BUV27G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    托盤

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    1.5V @ 800mA，8A

  • 工作溫度：

    -65°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-220

  • 描述：

    TRANS NPN 120V 12A TO220

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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TO-220
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