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BUV20分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料

BUV20
廠商型號

BUV20
參數(shù)屬性

BUV20 封裝/外殼為TO-204AA，TO-3；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產(chǎn)品描述：TRANS NPN 125V 50A TO3
功能描述

isc Silicon NPN Power Transistor
封裝外殼

TO-204AA，TO-3
文件大小

194.26 Kbytes
頁面數(shù)量

2 頁
生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC【無錫固電】

中文名稱

無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-2-10 16:33:00

BUV20規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

? Low Collector Saturation Voltage-

: VCE(sat)= 0.6V(Max.) @IC= 25A

? High DC Current Gain-

: hFE= 20(Min.)@ IC= 25A

? High Switching Speed

APPLICATIONS

? Designed for high speed, high current, high power applications.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    BUV20

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    1.2V @ 5A，50A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    3mA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    20 @ 25A，2V

  • 頻率 - 躍遷：

    8MHz

  • 工作溫度：

    200°C（TJ）

  • 安裝類型：

    底座安裝

  • 封裝/外殼：

    TO-204AA，TO-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-3

  • 描述：

    TRANS NPN 125V 50A TO3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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