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BUP311D

HighSpeed 2-Technology

?Designedfor: -TV–HorizontalLineDeflection ?2ndgenerationHighSpeed-Technology for1200Vapplicationsoffers: -lossreductioninresonantcircuits -temperaturestablebehavior -parallelswitchingcapability -tightparameterdistribution -EoffoptimizedforIC=3A -simpleGa

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BUP311D

IGBT With Antiparallel Diode Preliminary data sheet

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BUZ311

SIPMOSPowerTransistor(NchannelEnhancementmode)

?Nchannel ?Enhancementmode

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

BUZ311

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=2.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=5Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

C311

MONOLITHICWIDEBANDCRTDISTORTIONCORRECTIONDEVICE

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商etc2未分類制造商

C311

MOLOLITHICWIDEBANDCRTDISTORTIONCORRECTIONDEVICE

FEATURES ?16or24pinceramicdip ?Minimumofexternalcomponentsrequired ?Easilyadjustsforyokeerrors ?Accuracybetterthan0.5Max(C312) ?Bandwidthcompatiblewith10MHzsystems ?Bothgeometryandfocusavailable

INTRONICS

Intronics Power, Inc.

C311

MAGNETICSFORRF,POWER,FILTERANDDATAAPPLICATIONS

COILCRAFTCoilcraft lnc.

線藝美國線藝公司

C311C

PRECISIONVOLTAGECOMPARATORS

SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

C-311E

SINGLEDIGITDISPLAY

[Para-Light] C/A-301X,C/A-311XSINGLEDIGITDISPLAY

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分類制造商

C-311E-A

0.3INCHSINGLEDIGITDISPLAY

PARALIGHTPARA LIGHT ELECTRONICS CO., LTD.

光鼎電子光鼎電子股份有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    BUP311D

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 1200V, 20A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
INFINEON
2024+
N/A
70000
柒號只做原裝 現(xiàn)貨價秒殺全網
 詢價
infineon
24+
TO-220(218)
13750
詢價
INFINEON
23+
NA
19960
只做進口原裝,終端工廠免費送樣
 詢價
INFIEON
2020+
TO-3P
5000
百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
 詢價
INFINEON/英飛凌
23+
TO-218
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價
INFINEON/英飛凌
23+
TO-218
288939
原廠授權一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
 詢價
Infineon/英飛凌
07+
TO-218
5000
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢價
Infineon/英飛凌
24+
20000
全新、原裝、現(xiàn)貨
 詢價
INFINEON/英飛凌
22+
TO-218
20000
原裝現(xiàn)貨,實單支持
 詢價
INFINEON
22+
TO-218
8000
終端可免費供樣,支持BOM配單
 詢價
更多BUP311D供應商 更新時間2025-3-17 14:11:00

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