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BUK9575-100A

TrenchMOS transistor Logic level FET

GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodelogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopeavailableinTO220ABandSOT404.Using’trench’technologywhichfeaturesverylowon-stateresistance.Itis intendedforuseinautomotiveandgeneralpurposeswitchingapplications.

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BUK9575-100A

isc N-Channel MOSFET Transistor

DESCRIPTION ·DrainSourceVoltage :VDSS=100V(Min) ·LowRDS(ON) ·FastSwitchingSpeed ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·DesignedforSwitchedModePowerSupplies(SMPS), motorcontrol,welding,andingeneralpurposeswitch

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

BUK9575-100A

N-channel TrenchMOS logic level FET

1.1Generaldescription LogiclevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplastic packageusingTrenchMOStechnology.Thisproducthasbeendesignedandqualifiedto theappropriateAECstandardforuseinautomotivecriticalapplications. 1.2Featuresandbenefits AE

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導體(中國)有限公司

BUK9575-100A

TrenchMOS transistor Logic level FET

PhilipsNXP Semiconductors

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BUK9575-100A_15

N-channel TrenchMOS logic level FET

PhilipsNXP Semiconductors

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詳細參數

  • 型號：

    BUK9575-100A

  • 功能描述：

    MOSFET RAIL PWR-MOS

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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SOT78TO-220AB
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