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BUK6E2R0-30C

N-channel TrenchMOS intermediate level FET

1.1Generaldescription IntermediatelevelgatedriveN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET) inaplasticpackageusingadvancedTrenchMOStechnology.Thisproducthasbeen designedandqualifiedtotheappropriateAECQ101standardforuseinhighperformance automotiveappl

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

BUK6E2R0-30C

N-channel TrenchMOS intermediate level FET

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

BUK6E2R0-30C_15

N-channel TrenchMOS intermediate level FET

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

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更多BUK6E2R0-30C供應(yīng)商 更新時間2025-4-4 14:00:00

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