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BUK653R3-30C

N-channel TrenchMOS intermediate level FET

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

BUK653R3-30C_15

N-channel TrenchMOS intermediate level FET

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    BUK653R3-30C

  • 功能描述：

    MOSFET N-Chan 30V 100A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
Analo
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一級(jí)代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢(shì)長(zhǎng)期供貨
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優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開(kāi)增值稅票
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更多BUK653R3-30C供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-3 16:44:00

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