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BTD2057A3

Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor

Description ?HighBVCEO ?Highcurrentcapability ?Pb-freepackage

CYSTEKECCystech Electonics Corp.

全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司

BTD2061FP

Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor

Features ?Lowsaturationvoltage,typicallyVCE(sat)=0.2VatIC/IB=2A/0.2A. ?ExcellentDCcurrentgaincharacteristics. ?WideSOA(safeoperatingarea). ?Pb-freepackage.

CYSTEKECCystech Electonics Corp.

全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司

BTD2097AI3

Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor

Features ?LowVCE(sat),VCE(sat)=0.35V(typical),atIC/IB=4A/0.1A ?Excellentcurrentgaincharacteristics ?ComplementarytoBTB1412AI3

CYSTEKECCystech Electonics Corp.

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BTD2097LI3

Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor

Features ?LowVCE(sat),VCE(sat)=0.25V(typical),atIC/IB=3A/0.1A ?ExcellentDCcurrentgaincharacteristics ?ComplementarytoBTB1326LI3

CYSTEKECCystech Electonics Corp.

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BTD2098AM3

Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor

Features ?LowVCE(sat),VCE(sat)=0.35V(typical),atIC/IB=3A/0.1A ?ExcellentDCcurrentgaincharacteristics ?ComplementarytoBTB1386AM3 ?Pb-freepackage

CYSTEKECCystech Electonics Corp.

全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司

BTD2098LM3

Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor

Features ?LowVCE(sat),VCE(sat)=0.25V(typical),atIC/IB=3A/0.1A ?ExcellentDCcurrentgaincharacteristics ?ComplementarytoBTB1386LM3 ?Pb-freepackage

CYSTEKECCystech Electonics Corp.

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BTD2098LN3

Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor

Features ?LowVCE(sat),VCE(sat)=0.25V(typical),atIC/IB=3A/0.1A ?ExcellentDCcurrentgaincharacteristics ?ComplementarytoBTB1386LN3 ?Pb-freepackage

CYSTEKECCystech Electonics Corp.

全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司

BTD2098M3

Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor

Features ?LowVCE(sat),VCE(sat)=0.25V(typical),atIC/IB=3A/0.1A ?ExcellentDCcurrentgaincharacteristics ?ComplementarytoBTB1386M3

CYSTEKECCystech Electonics Corp.

全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司

BTD2098N3

Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor

Features ?LowVCE(sat),VCE(sat)=0.35V(typical),atIC/IB=3A/0.1A ?ExcellentDCcurrentgaincharacteristics ?ComplementarytoBTB1386N3

CYSTEKECCystech Electonics Corp.

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BTD2114N3

High Current Gain Medium Power NPN Epitaxial Planar Transistor

HighCurrentGainMediumPowerNPNEpitaxialPlanarTransistor AUDIOMUTINGAPPLICATION Features ?HighEmitter-Basevoltage,VEBO=12V(min). ?HighDCcurrentgain,hFE=1200(min.)@VCE=3V,IC=10mA. ?LowVCESAT,VCESAT=0.16Vtyp.@IC=500mA,IB=20mA. ?Pb-freeandhalogen-freepackage.

CYSTEKECCystech Electonics Corp.

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晶體管資料

  • 型號(hào)：

    BTD0105

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Triac

  • 性質(zhì)：

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    50V

  • 最大電流允許值：

    1A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號(hào)：

    T2303...,T2306...,TAG200-...,

  • 最大耗散功率：

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號(hào)：

    C-78

  • vtest：

    50

  • htest：

    999900

  • atest：

    1

  • wtest：

    0

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    BTD

  • 制造商：

    Bellnix Co Ltd

  • 功能描述：

    Bulk

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
CYS
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更多BTD供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-31 16:31:00

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