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BSP612P	文件：503.39 Kbytes Page：9 Pages	Enhancement mode	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BSP612PH6327XTSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè) 描述：SMALL SIGNAL+P-CH	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BTS612	文件：291.03 Kbytes Page：9 Pages	TWOCHANNELPROFET Discription PROFETRanIntellgent Powerswitchwithintegrated protectlonagainstself-destruction	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
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D612K	文件：238.19 Kbytes Page：8 Pages	25V/35V,2ALow-FrequencyPowerAmpApplications? 25V/35V,2ALow-FrequencyPowerAmplifierApplications Features ·HighcollectordissipationandwideASO.	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋電機(jī)株式會(huì)社	SANYO
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DC-612-I	文件：114.36 Kbytes Page：1 Pages	3.0WATTHIGHISOLATIONDC-DCCONVERTERS	INTRONICS Intronics Power, Inc.	INTRONICS
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DG612	文件：187.35 Kbytes Page：15 Pages	High-Speed,Low-GlitchD/CMOSAnalogSwitches FEATURES ?Fastswitching-tON:12ns ?Lowchargeinjection:±2pC ?Widebandwidth:500MHz ?5VCMOSlogiccompatible ?LowRDS(on):18? ?Lowquiescentpower:1.2nW ?Singlesupplyoperation BENEFITS ?Improveddatathroughput ?Minimalswitchingtransients ?Improvedsystem	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
DG612A	文件：194.23 Kbytes Page：11 Pages	1pCChargeInjection,100pALeakage,QuadSPSTSwitches DESCRIPTION TheDG611/612/613featurehigh-speedlow-capacitancelateralDMOSswitches.Chargeinjectionhasbeenminimizedtooptimizeperformanceinfastsample-and-holdapplications. FEATURES ●FastSwitching—tON:12ns ●LowChargeInjection:2pC ●WideBandwidth:500MHz ●5-VCMOSL	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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DG612A	文件：327.35 Kbytes Page：17 Pages	1pCChargeInjection,100pALeakage,QuadSPSTSwitches FEATURES ?Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?Lowchargeinjection(1pCtyp.) ?Leakagecurrent	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay

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更多BSP612P供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-31 14:00:00

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