首頁(yè)>BSO615N>詳情

BSO615N_INFINEON/英飛凌_MOSFET DUAL N-CH 60V 2.6A 8-SOIC納艾斯

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購(gòu)數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào)：

    BSO615N

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    INFINEO

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    80000

  • 產(chǎn)品封裝：

    SOP8

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    2020+

  • 庫(kù)存類型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-3 15:22:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號(hào)：BSO615N品牌：INFINEO

只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增

  • 芯片型號(hào)：

    BSO615N

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱：

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱：

    英飛凌科技股份公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    8 頁(yè)

  • 文件大小：

    531.18 kb

  • 資料說明：

    SIPMOS Small-signal-Transistor

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    BSO615N

  • 功能描述：

    MOSFET DUAL N-CH 60V 2.6A 8-SOIC

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列

  • 系列：

    SIPMOS®

  • 產(chǎn)品目錄繪圖：

    8-SOIC Mosfet Package

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1

  • 系列：

    - FET

  • 型：

    2 個(gè) N 溝道（雙） FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)（最大）：

    3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    20nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    - 功率 -

  • 最大：

    1.4W

  • 安裝類型：

    表面貼裝

  • 封裝/外殼：

    PowerPAK? SO-8

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    PowerPAK? SO-8

  • 包裝：

    Digi-Reel®

  • 產(chǎn)品目錄頁(yè)面：

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名稱：

    SI7948DP-T1-GE3DKR

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市納艾斯科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    肖小姐

  • 手機(jī)：

    13117514091

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-/82781136/2707495

  • 傳真：

    0755-82707495

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格大廈5803A

相近型號(hào)