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BSM75GD120DN2

IGBT Power Module (Solderable Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes)

?SolderablePowermodule ?3-phasefull-bridge ?Includingfastfree-wheeldiodes ?Packagewithinsulatedmetalbaseplate

SIEMENSSiemens Ltd

西門子德國(guó)西門子股份公司

BSM75GD120DN2BOSA1

包裝:托盤 封裝/外殼:模塊 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - IGBT - 模塊 描述:IGBT MOD 1200V 103A 520W

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    BSM75GD120DN2

  • 功能描述:

    IGBT 模塊 1200V 75A 3-PHASE

  • RoHS:

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 產(chǎn)品:

    IGBT Silicon Modules

  • 配置:

    Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    600 V

  • 集電極—射極飽和電壓:

    1.95 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流:

    230 A

  • 柵極—射極漏泄電流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    445 W

  • 最大工作溫度:

    + 125 C

  • 封裝/箱體:

    34MM

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
Infineon(英飛凌)
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原廠授權(quán)一級(jí)代理 IGBT模塊 可控硅 晶閘管 熔斷器質(zhì)保
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主打模塊,大量現(xiàn)貨供應(yīng)商QQ2355605126
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更多BSM75GD120DN2供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-18 14:41:00