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BSM200GAL120DN2

IGBT Power Module (Single switch with chopper diode Package with insulated metal base plate)

IGBTPowerModule ?Singleswitchwithchopperdiode ?Packagewithinsulatedmetalbaseplate

SIEMENSSiemens Ltd

西門子德國西門子股份公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    BSM200GAL120DN2

  • 功能描述:

    IGBT 模塊 1200V 200A GAL CH

  • RoHS:

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 產(chǎn)品:

    IGBT Silicon Modules

  • 配置:

    Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    600 V

  • 集電極—射極飽和電壓:

    1.95 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流:

    230 A

  • 柵極—射極漏泄電流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    445 W

  • 最大工作溫度:

    + 125 C

  • 封裝/箱體:

    34MM

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
INFINEON/英飛凌
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更多BSM200GAL120DN2供應(yīng)商 更新時間2024-11-18 16:19:00