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BSM150GB170DN2

IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate)

IGBTPowerModule Preliminarydata ?Half-bridge ?Includingfastfree-wheelingdiodes ?Packagewithinsulatedmetalbaseplate ?RGon,min=10Ohm

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

BSM150GB170DN2

IGBT Power Module

IGBTPowerModule ?Half-bridge ?Includingfastfree-wheelingdiodes ?Packagewithinsulatedmetalbaseplate ?RGon,min=10Ohm

eupec

eupec GmbH

BSM150GB170DN2

英飛凌IGBT BSM150GB170DN2

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

PDF上傳者：蘇州銀邦電子科技有限公司

BSM150GB170DN2E3166

IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Enlarged diode area)

IGBTPowerModule Preliminarydata ?Half-bridge ?Includingfastfree-wheelingdiodes ?Enlargeddiodearea ?Packagewithinsulatedmetalbaseplate ?RGon,min=10Ohm

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

BSM150GB170DN2HOSA1

Package：模塊；包裝：托盤托盤 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - IGBT - 模塊 描述：IGBT MOD 1700V 220A 1250W

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    BSM150GB170DN2

  • 功能描述：

    IGBT 模塊 1700V 150A DUAL

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 產(chǎn)品：

    IGBT Silicon Modules

  • 配置：

    Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    600 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    1.95 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    230 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    445 W

  • 最大工作溫度：

    + 125 C

  • 封裝/箱體：

    34MM

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多BSM150GB170DN2供應(yīng)商 更新時間2025-2-19 16:01:00

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