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BSC070N10NS3G_11

OptiMOSTM3 Power-Transistor

Features ?Verylowgatechargeforhighfrequencyapplications ?Optimizedfordc-dcconversion ?N-channel,normallevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?150°Coperatingtemperature ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?Qualifiedac

InfineonInfineon Technologies AG

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更多BSC070N10NS3G_11供應(yīng)商 更新時間2025-1-18 9:30:00

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