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BSB012NE2LX

n-Channel Power MOSFET

Description OptiMOS?25VproductsareclassleadingpowerMOSFETsforhighestpowerdensityandenergyefficientsolutions.UltralowgateandoutputchargestogetherwithlowestonstateresistanceinsmallfootprintpackagesmakeOptiMOS?25Vthebestchoiceforthedemandingrequirementsofvol

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BSB012NE2LXI

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

Features ?OptimizedSyncFETforhighperformanceBuckconverter ?IntegratedmonolithicSchottkylikediode ?Lowprofile(

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    BSB012NE2LX

  • 功能描述：

    MOSFET N-Channel 25V MOSFET

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
Infineon(英飛凌)
23+
標(biāo)準(zhǔn)封裝
10548
原廠渠道供應(yīng),大量現(xiàn)貨,原型號開票。
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INFINEO
2020+
QFN
1790
百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
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只做進(jìn)口原裝正品假一賠十!
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只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增
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INFINEON/英飛凌
21+
QFN
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原裝現(xiàn)貨假一賠十
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INFINEON
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Infineon(英飛凌)
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20094
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 詢價(jià)
更多BSB012NE2LX供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-15 9:38:00

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