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BS108	文件：58.88 Kbytes Page：4 Pages	200 VOLTS N-CHANNEL TMOS POWER FET LOGIC LEVEL LogicLevelTMOS N–ChannelEnhancementMode ThisTMOSFETisdesignedforhighvoltage,highspeedswitchingapplicationssuchaslinedrivers,relaydrivers,CMOSlogic,microprocessororTTLtohighvoltageinterfaceandhighvoltagedisplaydrivers. ?LowDriveRequirement,VGS=3	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
BS108	文件：56.77 Kbytes Page：8 Pages	N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor DESCRIPTION N-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistorinaTO-92envelope,intendedforuseasalinecurrentinterruptorintelephonesetsandforapplicationsinrelay,high-speedandlinetransformerdrivers. FEATURES ?DirectinterfacetoC-MOS,TTL,etc. ?High-speed	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BS108	文件：227.58 Kbytes Page：5 Pages	DMOS Transistors (N-Channel) FEATURES ?Highbreakdownvoltage ?Highinputimpedance ?Lowgatethresholdvoltage ?Lowdrain-sourceONresistance ?High-speedswitching ?Nominoritycarrierstoragetime ?CMOSlogiccompatibleinput ?Nothermalrunaway ?Nosecondarybreakdown ?Speciallysui	GE GE Industrial Company	GE
BS108	文件：50.31 Kbytes Page：3 Pages	Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts, Logic Level SmallSignalMOSFET250mAmps,200Volts,LogicLevel N?ChannelTO?92 ThisMOSFETisdesignedforhighvoltage,highspeedswitchingapplicationssuchaslinedrivers,relaydrivers,CMOSlogic,microprocessororTTLtohighvoltageinterfaceandhighvoltagedisplaydrivers. Features ?LowDr	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
BS108G	文件：50.31 Kbytes Page：3 Pages	Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts, Logic Level SmallSignalMOSFET250mAmps,200Volts,LogicLevel N?ChannelTO?92 ThisMOSFETisdesignedforhighvoltage,highspeedswitchingapplicationssuchaslinedrivers,relaydrivers,CMOSlogic,microprocessororTTLtohighvoltageinterfaceandhighvoltagedisplaydrivers. Features ?LowDr	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
BS108ZL1	文件：50.31 Kbytes Page：3 Pages	Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts, Logic Level SmallSignalMOSFET250mAmps,200Volts,LogicLevel N?ChannelTO?92 ThisMOSFETisdesignedforhighvoltage,highspeedswitchingapplicationssuchaslinedrivers,relaydrivers,CMOSlogic,microprocessororTTLtohighvoltageinterfaceandhighvoltagedisplaydrivers. Features ?LowDr	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
BS108ZL1G	文件：50.31 Kbytes Page：3 Pages	Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts, Logic Level SmallSignalMOSFET250mAmps,200Volts,LogicLevel N?ChannelTO?92 ThisMOSFETisdesignedforhighvoltage,highspeedswitchingapplicationssuchaslinedrivers,relaydrivers,CMOSlogic,microprocessororTTLtohighvoltageinterfaceandhighvoltagedisplaydrivers. Features ?LowDr	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
BS108_11	文件：97.18 Kbytes Page：3 Pages	Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts, Logic Level	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
BS108ZL1G	文件：97.18 Kbytes Page：3 Pages	Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts, Logic Level	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
BSF-108	文件：405.28 Kbytes Page：2 Pages	BandStopFilter	MINI Mini-Circuits	MINI
BSF-108+	文件：405.28 Kbytes Page：2 Pages	BandStopFilter	MINI Mini-Circuits	MINI
BSH108	文件：318.39 Kbytes Page：13 Pages	N-channelenhancementmodefield-effecttransistor Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS?1technology. Features ■TrenchMOS?technology ■Veryfastswitching ■Logiclevelcompatible ■Subminiaturesurfacemountpackage. Applications ■Batterymanagement ■Highspeedswitch ■	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BSH108	文件：265.23 Kbytes Page：2 Pages	N-channelenhancementmodefield-effecttransistor Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS?1technology. Productavailability: BSH108inSOT23. Features ■TrenchMOS?technology ■Veryfastswitching ■Logiclevelcompatible ■Subminiaturesurfacemountpackage. Applications ■	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI
BSH108	文件：206.38 Kbytes Page：2 Pages	N-channelenhancementmodefield-effecttransistor Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS?1technology. Features ■TrenchMOS?technology ■Veryfastswitching ■Logiclevelcompatible ■Subminiaturesurfacemountpackage. Applications ■Batterymanagement ■Highspeedswitch ■	TYSEMITY Semiconductor Co., Ltd 臺(tái)灣TY半導(dǎo)體臺(tái)灣TY半導(dǎo)體有限公司	TYSEMI
BSH108	文件：418.83 Kbytes Page：14 Pages	N-channelenhancementmodefield-effecttransistor 1.Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusing TrenchMOS?1technology. Productavailability: BSH108inSOT23. 2.Features nTrenchMOS?technology nVeryfastswitching nLogiclevelcompatible nSubminiaturesurfacemountpackage. 3.Applicat	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
BSH108	文件：2.30114 Mbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features Vbs=30V,Ip=3A Rosion)	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 臺(tái)舟電子臺(tái)舟電子股份有限公司	TECHPUBLIC
BSP108	文件：64.709 Kbytes Page：12 Pages	N-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistor DESCRIPTION N-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistorinaminiatureSOT223envelopeandintendedforuseinrelay,high-speedandline-transformerdrivers. FEATURES ?DirectinterfacetoC-MOS,TTL,etc. ?High-speedswitching ?Nosecondarybreakdown	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BU108	文件：123.97 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ?HighVoltage ?HighSwitchingSpeed ?CollectorCurrent-IC=5A APPLICATIONS ?DesignedforhighvoltageCRTscanningapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
BU108	文件：126.47 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNPowerTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
BYT108	文件：67.09 Kbytes Page：5 Pages	UltraFastRecoverySiliconPowerRectifier Features ●Multiplediffusion ●Epitaxial–planar ●Ultrafastforwardrecoverytime ●Ultrafastreverserecoverytime ●Lowreversecurrent ●Verygoodreversecurrentstabilityathightemperature ●Lowthermalresistance Applications ???FastrectifiersinS.M.P.S ???Freewheelingd	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
BS108
功能描述：
MOSFET 200V 250mA Logic
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市高捷芯城科技有限公司	BS108	ON(安森美)	23+	標(biāo)準(zhǔn)封裝	7475	全新原裝正品/價(jià)格優(yōu)惠/質(zhì)量保障	詢價(jià)
深圳市芯球通科技有限公司	BS108	ON(安森美)	23+		11856	公司只做原裝正品,假一賠十	詢價(jià)
深圳市粵華信科技有限公司	BS108	BELLING/上海貝嶺	24+	TO92	40000	一級(jí)代理-原裝現(xiàn)貨/支持實(shí)單	詢價(jià)
柒號(hào)芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司	BS108	ON	2024+	N/A	70000	柒號(hào)只做原裝現(xiàn)貨價(jià)秒殺全網(wǎng)	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	BS108		24+		8866		詢價(jià)
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深圳市華斯頓科技有限公司	BS108	ON	22+23+	TO-92	15124	絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨	詢價(jià)
瀚佳科技(深圳)有限公司	BS108	ON進(jìn)口原裝	24+	TO-92	65000	原裝現(xiàn)貨/放心購買	詢價(jià)

更多BS108供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-3 17:07:00

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