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BS112	文件：132.74 Kbytes Page：3 Pages	WIDEWAVELENGTHBANDTYPEPHOTODIODE BlueSensitivePhotodiodes	SHARPSharp Microelectronics of the Americas (SMA) 夏普微美國夏普微電子公司（SMA）	SHARP
BSH112	文件：290.23 Kbytes Page：13 Pages	N-channelenhancementmodefield-effecttransistor Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS?1technology. Features ■TrenchMOS?technology ■Veryfastswitching ■Logiclevelcompatible ■Subminiaturesurfacemountpackage ■Gate-sourceESDprotectiondiodes. c c Applications ■	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BSH112	文件：391.21 Kbytes Page：14 Pages	N-channelenhancementmodefield-effecttransistor 1.Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusing TrenchMOS?1technology. Productavailability: BSH112inSOT23. 2.Features nTrenchMOS?technology nVeryfastswitching nLogiclevelcompatible nSubminiaturesurfacemountpackage nGate-sourc	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
BTS112	文件：319.78 Kbytes Page：9 Pages	TEMPFET(NchannelEnhancementmodeTemperaturesensorwiththyristorcharacteristic) Features ●Nchannel ●Enhancementmode ●Temperaturesensorwiththyristorcharacteristic ●ThedrainpiniselectricalIyshortedtothetab	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
BTS112	文件：332.91 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.15Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
BTS112A	文件：319.78 Kbytes Page：9 Pages	TEMPFET(NchannelEnhancementmodeTemperaturesensorwiththyristorcharacteristic) Features ●Nchannel ●Enhancementmode ●Temperaturesensorwiththyristorcharacteristic ●ThedrainpiniselectricalIyshortedtothetab	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
BTS112A	文件：579.28 Kbytes Page：10 Pages	TEMPFET(N-channelEnhancementmodeTemperaturesensorwiththyristorcharacteristic) Features ●Nchannel ●Enhancementmode ●Temperaturesensorwiththyristorcharacteristic ●ThedrainpiniselectricalIyshortedtothetab	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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BU112	文件：126.56 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNPowerTransistors	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
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更多BRT112H供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-28 17:24:00

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