威兆半導(dǎo)體|VERGIGA
- 中文簡稱威兆半導(dǎo)體
- 英文全稱Shenzhen Vergiga Semiconductor Co., LTD.
- 公司網(wǎng)址www.vgsemi.com
- 企業(yè)地址中國深圳市南山區(qū)
深圳市威兆半導(dǎo)體股份有限公司成立于2012年,總部位于深圳市南山智園崇文園區(qū),在珠海、上海、天津、香港、韓國水原等地設(shè)有研發(fā)中心及辦事處,是國家級高新技術(shù)企業(yè)和國家級專精特新“小巨人”企業(yè)
自成立以來,威兆半導(dǎo)體始終聚焦功率器件研發(fā)與應(yīng)用技術(shù)研究,憑借多年的科研攻關(guān)已成為少數(shù)同時具備低壓、中壓、高壓全系列功率MOSFET/IGBT單管、模塊以及特殊半導(dǎo)體制程設(shè)計能力的先進半導(dǎo)體設(shè)計公司。產(chǎn)品涵蓋傳統(tǒng)硅基及第三代化合物半導(dǎo)體SiC和GaN,并廣泛應(yīng)用于消費類電源、汽車電子、電機驅(qū)動、工業(yè)電源、通信等領(lǐng)域。
威兆半導(dǎo)體一直堅定不移地提升研發(fā)技術(shù)、供應(yīng)鏈技術(shù)整合、品質(zhì)管控、技術(shù)行銷等綜合能力,堅持以卓越的質(zhì)量和持續(xù)的技術(shù)創(chuàng)新為客戶創(chuàng)造價值,打造一流功率半導(dǎo)體價值運營體系,服務(wù)全球一流價值客戶。
經(jīng)營產(chǎn)品
傳統(tǒng)硅基及第三代化合物半導(dǎo)體SiC和GaN、以及低壓、中壓、高壓全系列功率MOSFET/IGBT單管、模塊以及特殊半導(dǎo)體
應(yīng)用領(lǐng)域
消費類電源、汽車電子、電機驅(qū)動、工業(yè)電源、通信等領(lǐng)域