安海半導體|ANHI

安海半導體（ANHI Semiconductor）是由具備功率半導體行業(yè)超過20年經驗的資深團隊組建而成，專注于高性能功率半導體技術、產品及系統(tǒng)方案的開發(fā)。以自主知識產權體系、自主工藝器件技術和產品技術為核心的構建國內首個專注于高性能第三代功率半導體技術領先的公司。為國內電源、動力驅動及能源轉換行業(yè)提供從分立器件到模組級解決方案。

安海半導體推出基于世界領先的平面高密度工藝與溝槽工藝的第三代寬禁帶功率半導體碳化硅SIC MOSFET產品，并且擁有首份國內碳化硅SIC MOSFET 溝槽結構發(fā)明專利。產品性能：高頻率、高功率、高效率、低導通電阻；具有電流密度高、開關速度快、浪涌和短路能力強；電壓覆蓋1200V、1700V、1900V、3300V等廣泛電壓和以上優(yōu)點。

典型應用領域為：新能源汽車、充電樁、工業(yè)電源、光伏逆變、儲能電源、風力發(fā)電、軌道交通等。在新能源應用上更能滿足新能源汽車、充電樁高效率和高功率密度的性能要求。

經營產品

SiC MOSFET

SJ MOSFET

SGTMOSFET

IGBT

應用領域

新能源汽車、充電樁、工業(yè)電源、光伏逆變、儲能電源、風力發(fā)電、軌道交通等