東微半導(dǎo)體|ORIENTALSEMI

東微半導(dǎo)體成立于2008年，注冊(cè)資本9432.6914萬元，是一家技術(shù)驅(qū)動(dòng)型的半導(dǎo)體技術(shù)公司，在作為半導(dǎo)體核心技術(shù)的器件領(lǐng)域有深厚的技術(shù)積累，專注半導(dǎo)體器件技術(shù)創(chuàng)新，擁有多項(xiàng)半導(dǎo)體器件核心專利。 2013年下半年，東微半導(dǎo)體原創(chuàng)的半浮柵器件的技術(shù)論文在美國(guó)《科學(xué)》期刊上發(fā)表，標(biāo)志著國(guó)內(nèi)科學(xué)家在半導(dǎo)體核心技術(shù)方向獲得重大突破，新聞聯(lián)播、人民日?qǐng)?bào)等媒體均進(jìn)行了頭條重點(diǎn)報(bào)道，引起了國(guó)內(nèi)外業(yè)界的高度關(guān)注。2016年東微半導(dǎo)體自主研發(fā)的新能源汽車直流大功率充電樁用核心芯片成功量產(chǎn)，打破國(guó)外廠商壟斷。目前，東微半導(dǎo)體已成為國(guó)內(nèi)高性能功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的佼佼者，在新能源領(lǐng)域替代進(jìn)口半導(dǎo)體產(chǎn)品邁出了堅(jiān)實(shí)一步，產(chǎn)品進(jìn)入多個(gè)國(guó)際一線客戶，并受到了客戶的一致好評(píng)。

經(jīng)營(yíng)產(chǎn)品

高壓超級(jí)結(jié)MOSFET、中低壓屏蔽柵MOSFET、超級(jí)硅MOSFET 、TGBT

應(yīng)用領(lǐng)域

快速充電器、充電樁應(yīng)用、直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)、光伏逆變器及其它應(yīng)用領(lǐng)域