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CD6215A	文件：111.61 Kbytes Page：5 Pages	POW-R-BLOKDualSCR/DiodeIsolatedModule150Amperes/Upto1600Volts	POWEREX Powerex Power Semiconductors	POWEREX
CD6215B	文件：115.23 Kbytes Page：4 Pages	DualSCR/DiodeIsolatedModule150Amperes/Upto1800Volts	POWEREX Powerex Power Semiconductors	POWEREX
EL6215	文件：94.05 Kbytes Page：2 Pages	3-ChannelLaserDiodeDriverOscillator TheEL6215isahigh-performancethreechannellaserdriverthatprovidescontrolledcurrenttoa groundedlaserdiode.Writechannels2and3shouldbeusedasthewritechannels,withswitchingspeedsofapproximatelyonenanosecondrise/falltime.AllthreechannelsaresummedtogetherattheI	Intersil Intersil Corporation	Intersil
EL6215CL	文件：94.05 Kbytes Page：2 Pages	3-ChannelLaserDiodeDriverOscillator TheEL6215isahigh-performancethreechannellaserdriverthatprovidescontrolledcurrenttoa groundedlaserdiode.Writechannels2and3shouldbeusedasthewritechannels,withswitchingspeedsofapproximatelyonenanosecondrise/falltime.AllthreechannelsaresummedtogetherattheI	Intersil Intersil Corporation	Intersil
EL6215CU	文件：94.05 Kbytes Page：2 Pages	3-ChannelLaserDiodeDriverOscillator TheEL6215isahigh-performancethreechannellaserdriverthatprovidescontrolledcurrenttoa groundedlaserdiode.Writechannels2and3shouldbeusedasthewritechannels,withswitchingspeedsofapproximatelyonenanosecondrise/falltime.AllthreechannelsaresummedtogetherattheI	Intersil Intersil Corporation	Intersil
EL6215CUZ	文件：94.05 Kbytes Page：2 Pages	3-ChannelLaserDiodeDriverOscillator TheEL6215isahigh-performancethreechannellaserdriverthatprovidescontrolledcurrenttoa groundedlaserdiode.Writechannels2and3shouldbeusedasthewritechannels,withswitchingspeedsofapproximatelyonenanosecondrise/falltime.AllthreechannelsaresummedtogetherattheI	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FB6215BR	文件：716.83 Kbytes Page：4 Pages	DigitalOutput	PFBeijiafu (Beijing) Process Automation Control Equipment Co., Ltd 倍加福倍加福（北京）過程自動(dòng)化控制設(shè)備有限公司	PF
FM6215	文件：253.18 Kbytes Page：8 Pages	0.9uALowPowerLowDropoutRegulator	FUMANSHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. 富滿微電子深圳市富滿微電子集團(tuán)股份有限公司	FUMAN
FST6215	文件：116.01 Kbytes Page：3 Pages	60AmpSchottkyBarrierRectifier10to20Volts Features ●Metalofsiliconrectifier,majontycarrierconducton ●Guardringfortransientprotection ●Lowpowerlosshighefficiency ●Highsurgecapacity,Highcurrentcapability	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
FST6215	文件：140.26 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyOringDiode ●SchottkyBarrierRectifier ●Guardringprotection ●Lowforwardvoltage ●2X30Amperesavg. ●125°CJunctiontemperature ●Reverseenergytested ●ROHSCompliant	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
FST6215	文件：119.78 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyOringDiode	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
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FST6215SL	文件：144.58 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYDIODESMODULETYPE60A Features HighSurgeCapability TypesUpto100VVRRM	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
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HM6215	文件：897.55 Kbytes Page：7 Pages	LowConsumptionCurrentHighPSRR500mACMOSLDO	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
IRF6215	文件：125.4 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provi	IRF International Rectifier	IRF
IRF6215L	文件：178.06 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provi	IRF International Rectifier	IRF
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IRF6215LPBF	文件：997.19 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPOWERMOSFET(VDSS=-150V,RDS(on)=0.29廓,ID=-13A) ComingSoon. Ifyouhavesomeinformationonrelatedparts,pleaseshareusefulinformationbyaddinglinksbelow.	IRF International Rectifier	IRF
IRF6215PBF	文件：174.05 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET?PowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provi	IRF International Rectifier	IRF

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更多BRAD6215ESAG供應(yīng)商更新時(shí)間2024-11-8 14:08:00

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