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BR34E02FVT-3集成電路(IC)的存儲器規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
BR34E02FVT-3 |
參數(shù)屬性 | BR34E02FVT-3 封裝/外殼為8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬);包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為集成電路(IC)的存儲器;產(chǎn)品描述:IC EEPROM 2KBIT I2C 8TSSOPB |
功能描述 | Memory for Plug & Play DDR2/DDR3 SPD Memory (for Memory Modules) |
封裝外殼 | 8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬) |
文件大小 |
403.71 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
20 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Rohm |
企業(yè)簡稱 |
ROHM【羅姆】 |
中文名稱 | 羅姆半導(dǎo)體集團官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-1-23 17:45:00 |
BR34E02FVT-3規(guī)格書詳情
●Description
BR34E02-3 Series is 256×8 bit Electrically Erasable PROM (Based on Serial Presence Detect)
●Features
1) 256×8 bit architecture serial EEPROM
2) Wide operating voltage range: 1.7V-5.5V
3) Two-wire serial interface
4) Self-Timed Erase and Write Cycle
5) Page Write Function (16byte)
6) Write Protect Mode
Settable Reversible Write Protect Function: 00h-7Fh
Write Protect 1 (Onetime Rom) : 00h-7Fh
Write Protect 2 (Hardwire WP PIN) : 00h-FFh
7) Low Power consumption
Write (at 1.7V ) : 0.4mA (typ.)
Read (at 1.7V ) : 0.1mA(typ.)
Standby ( at 1.7V ) : 0.1μA(typ.)
8) DATA security
Write protect feature (WP pin)
Inhibit to WRITE at low VCC
9) Compact package: TSSOP-B8, VSON008X2030
10) High reliability fine pattern CMOS technology
11) Rewriting possible up to 1,000,000 times
12) Data retention: 40 years
13) Noise reduction Filtered inputs in SCL / SDA
14) Initial data FFh at all addresses
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
BR34E02FVT-3E2
- 制造商:
Rohm Semiconductor
- 類別:
集成電路(IC) > 存儲器
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 存儲器類型:
非易失
- 存儲器格式:
EEPROM
- 技術(shù):
EEPROM
- 存儲容量:
2Kb(256 x 8)
- 存儲器接口:
I2C
- 寫周期時間 - 字,頁:
5ms
- 電壓 - 供電:
1.7V ~ 5.5V
- 工作溫度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬)
- 供應(yīng)商器件封裝:
8-TSSOP-B
- 描述:
IC EEPROM 2KBIT I2C 8TSSOPB
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Rohm Semiconductor |
24+ |
8-TSSOP-B |
56200 |
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詢價 | ||
ROM |
21+ |
2386 |
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ROHM |
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ROHM(羅姆) |
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24+ |
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