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BR250SURA	文件：476.65 Kbytes Page：2 Pages	BR Surge Breaker Features&Benefits: ?Completehomesurge protectionforallcircuitsplus afunctional2-polethermal magneticbreaker ?Directconnectiontothe busbarprovidessuperior protectionandeasyinstallation fornewconstructionor renovation ?MeetsbothUL489aswell asUL14493rdEdi	EATONEaton All Rights Reserved. 伊頓伊頓公司	EATON
BS250	文件：50 Kbytes Page：8 Pages	P-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistor DESCRIPTION P-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistorinTO-92variantenvelopeandintendedforuseinrelay,high-speedandline-transformerdrivers. FEATURES ?LowRDS(on) ?DirectinterfacetoC-MOS ?High-speedswitching ?Nosecondbreakdown	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BS250	文件：62.31 Kbytes Page：2 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEDMOSTRANSISTOR Features ●HighInputImpedance ●FastSwitchingSpeed ●CMOSLogicCompatibleInput ●NoThermalRunawayorSecondaryBreakdown	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BS250	文件：62.88 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET FEATURES ?High-SideSwitching ?LowOn-Resistance:8 ?LowThreshold:?1.9V ?FastSwitchingSpeed:16ns ?LowInputCapacitance:15pF BENEFITS ?EaseinDrivingSwitches ?LowOffset(Error)Voltage ?Low-VoltageOperation ?High-SpeedSwitching ?EasilyDrivenWithoutBuffer AP	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
BS250	文件：273.95 Kbytes Page：5 Pages	DMOSTransistor(P-Channel)	GE GE Industrial Company	GE
BS250	文件：239.4 Kbytes Page：5 Pages	DMOSTransistors(P-Channel) FEATURES ?Highinputimpedance ?High-speedswitching ?Nominoritycarrierstoragetime ?CMOSlogiccompatibleinput ?Nothermalrunaway ?Nosecondarybreakdown	GE GE Industrial Company	GE
BS250	文件：75.94 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET Description:P-Channel,60V(D-S)MOSFET Package:SOT-23 PinOut:Identical	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
BS250F	文件：80.5 Kbytes Page：3 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEVERTICALDMOSFET SOT23P-CHANNELENHANCEMENTMODEVERTICALDMOSFET PARTMARKINGDETAIL-SP	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
BS250F	文件：86.15 Kbytes Page：3 Pages	BS250F PARTMARKINGDETAIL-MX	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BS250FTA	文件：86.15 Kbytes Page：3 Pages	SOT23P-CHANNELENHANCEMENTMODEVERTICALDMOSFET PARTMARKINGDETAIL-MX	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BS250FTA	文件：1.6117 Mbytes Page：7 Pages	P-Channel60V(D-S)MOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?High-SideSwitching ?LowOn-Resistance:3? ?LowThreshold:-2V(typ.) ?FastSwtichingSpeed:20ns(typ.) ?LowInputCapacitance:20pF(typ.) ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
BS250KL	文件：82.89 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET FEATURES ●TrenchFETPowerMOSFET ●ESDProtected:2000V APPLICATIONS ●Drivers:Relays,Solenoids,Lamps,Hammers, ??Displays,Memories,Transistors,etc. ●BatteryOperatedSystems ●PowerSupply,ConverterCircuits ●MotorControl	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
BS250P	文件：48.87 Kbytes Page：1 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEVERTICALDMOSFET SOT23P-CHANNELENHANCEMENTMODEVERTICALDMOSFET PARTMARKINGDETAIL-SP	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
BS250P	文件：52.87 Kbytes Page：1 Pages	45VoltVDS FEATURES 45VoltVDS RDS(on)=14? REFERTOZVP2106AFORGRAPHS	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BSP250	文件：114.24 Kbytes Page：12 Pages	P-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistor DESCRIPTION P-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistorinaSOT223plasticSMDpackage. FEATURES ?High-speedswitching ?Nosecondarybreakdown ?Verylowon-resistance. APPLICATIONS ?Low-lossmotorandactuatordrivers ?Powerswitching.	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BSP250	文件：1.00563 Mbytes Page：8 Pages	P-Channel35V(D-S)MOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested ?100UISTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?LoadSwitches,AdaptorSwitch -NotebookPCs	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
BSP250	文件：212.85 Kbytes Page：13 Pages	P-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistor FEATURES ·High-speedswitching ·Nosecondarybreakdown ·Verylowon-resistance. APPLICATIONS ·Low-lossmotorandactuatordrivers ·Powerswitching. DESCRIPTION P-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistor inaSOT223plasticSMDpackage.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司	NEXPERIA
BW250EAG	文件：9.70248 Mbytes Page：93 Pages	MoldedCaseCircuitBreakers	FujiFuji Electric 富士電機(jī)富士電機(jī)株式會(huì)社	Fuji
BW250EAGU	文件：9.70248 Mbytes Page：93 Pages	MoldedCaseCircuitBreakers	FujiFuji Electric 富士電機(jī)富士電機(jī)株式會(huì)社	Fuji
BW250JAG	文件：9.70248 Mbytes Page：93 Pages	MoldedCaseCircuitBreakers	FujiFuji Electric 富士電機(jī)富士電機(jī)株式會(huì)社	Fuji

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深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	BR251	RECTRON	24+		1355		詢價(jià)
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	BR251	RECTRON	23+	2016	10000	原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種	詢價(jià)
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深圳市高捷芯城科技有限公司	BR2510	YANGJIE(揚(yáng)杰)	23+	BR	8215	現(xiàn)貨供應(yīng),當(dāng)天可交貨!免費(fèi)送樣,原廠技術(shù)支持!!!	詢價(jià)
浙江永芯科技有限公司	BR2510	YANGJIE	24+	BR	50000	原廠直銷全新原裝正品現(xiàn)貨歡迎選購(gòu)	詢價(jià)
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更多BR250SURA供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-28 10:50:00

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