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BQ4013MA-120

128Kx8 Nonvolatile SRAM

TITexas Instruments

德州儀器美國(guó)德州儀器公司

BQ4013MA-120

128 k X 8 NONVOLATILE SRAM (5 V, 3.3 V)

TITexas Instruments

德州儀器美國(guó)德州儀器公司

BQ4013MA-120

128 k ? 8 NONVOLATILE SRAM (5 V, 3.3 V)

TI1Texas Instruments

德州儀器

BQ4013MA-120

Package:32-DIP 模塊(0.610",15.49mm);包裝:卷帶(TR) 類別:集成電路(IC) 存儲(chǔ)器 描述:IC NVSRAM 1MBIT PAR 32DIP MODULE

TI1Texas Instruments

德州儀器

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    BQ4013MA-120

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 存儲(chǔ)器類型:

    非易失

  • 存儲(chǔ)器格式:

    NVSRAM

  • 技術(shù):

    NVSRAM(非易失性 SRAM)

  • 存儲(chǔ)容量:

    1Mb(128K x 8)

  • 存儲(chǔ)器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字,頁:

    120ns

  • 電壓 - 供電:

    4.75V ~ 5.5V

  • 工作溫度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    32-DIP 模塊(0.610",15.49mm)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    32-DIP 模塊(18.42x42.8)

  • 描述:

    IC NVSRAM 1MBIT PAR 32DIP MODULE

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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更多BQ4013MA-120供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-21 18:54:00