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BMT-105A	文件：93.57 Kbytes Page：1 Pages	BMT-105A	DBLECTRODB Lectro Inc 迪貝電子	DBLECTRO
BMT-105B	文件：93.57 Kbytes Page：1 Pages	BMT-105A	DBLECTRODB Lectro Inc 迪貝電子	DBLECTRO
BPR-105	文件：100.28 Kbytes Page：4 Pages	LED	BRIGHT 寧波步來特電器有限公司	BRIGHT
BPR-105F	文件：260.62 Kbytes Page：6 Pages	LED	BRIGHT 寧波步來特電器有限公司	BRIGHT
BPR-105S	文件：302.26 Kbytes Page：5 Pages	Non-contactswitchingFordirectpcboardordual-in-linesocketmounting.	BRIGHT 寧波步來特電器有限公司	BRIGHT
BRUS105	文件：61.25 Kbytes Page：2 Pages	ULTRA-FASTRECOVERY4to6AMPERESSINGLE-PHASE,FULL-WAVEBRIDGESHEATSINKCHASSISPCBOARDMOUNTING	edi Electronic devices inc.	edi
BSH105	文件：145.63 Kbytes Page：7 Pages	N-channelenhancementmodeMOStransistor GENERALDESCRIPTION N-channel,enhancementmode,logiclevel,field-effectpowertransistor.Thisdevicehasverylowthresholdvoltageandextremelyfastswitchingmakingitidealforbatterypoweredapplicationsandhighspeeddigitalinterfacing. TheBSH105issuppliedintheSOT23subminiatu	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BSH105	文件：40.22 Kbytes Page：2 Pages	N-channelenhancementmode GENERALDESCRIPTION N-channel,enhancementmode,logiclevel,field-effectpowertransistor.Thisdevicehasverylowthresholdvoltageandextremelyfastswitchingmakingitidealforbatterypoweredapplicationsandhighspeeddigitalinterfacing. TheBSH105issuppliedintheSOT23subminiatu	TYSEMITY Semiconductor Co., Ltd 臺(tái)灣TY半導(dǎo)體臺(tái)灣TY半導(dǎo)體有限公司	TYSEMI
BSH105	文件：1.54676 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=20V ●ID=1.05A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
BSH105	文件：96.17 Kbytes Page：2 Pages	N-channelenhancementmode GENERALDESCRIPTION N-channel,enhancementmode,logiclevel,field-effectpowertransistor.Thisdevicehasverylowthresholdvoltageandextremelyfastswitchingmakingitidealforbatterypoweredapplicationsandhighspeeddigitalinterfacing. TheBSH105issuppliedintheSOT23subminiatu	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI
BSH105	文件：229.87 Kbytes Page：8 Pages	N-channelenhancementmodeMOStransistor FEATURES ?Verylowthresholdvoltage ?Fastswitching ?Logiclevelcompatible ?Subminiaturesurfacemount package GENERALDESCRIPTION N-channel,enhancementmode, logiclevel,field-effectpower transistor.Thisdevicehasverylow thresholdvoltageandextremely fastswitchingmak	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
BT105	文件：36.59 Kbytes Page：2 Pages	DC/DCConverters	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
BT105S	文件：347.47 Kbytes Page：3 Pages	SurfaceMountGlassPassivatedBridgeRectifiers	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
BU105	文件：268.02 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·HighVoltage-VCER=1500V(Min.) ·Collector-EmitterSaturationVoltage-:VCE(sat)=5.0V(Max.)@IC=2.5A APPLICATIONS ·DesignedforuseinlineoperatedB&W(19and20inch110℃deflectioncircuits)orcolor(11and14inch90℃deflectioncircuitsTVreceivers.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
BU105	文件：131.38 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNPowerTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
BUJ105A	文件：71.44 Kbytes Page：7 Pages	SiliconDiffusedPowerTransistor GENERALDESCRIPTION High-voltage,high-speedplanar-passivatednpnpowerswitchingtransistorinTO220ABenvelopeintendedforuseinhighfrequencyelectroniclightingballastapplications,converters,inverters,switchingregulators,motorcontrolsystems,etc.	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BUJ105A	文件：391.25 Kbytes Page：9 Pages	SiliconDiffusedPowerTransistor GENERALDESCRIPTION High-voltage,high-speedplanar-passivatednpnpowerswitchingtransistorinTO220ABenvelopeintendedforuseinhighfrequencyelectroniclightingballastapplications,converters,inverters,switchingregulators,motorcontrolsystems,etc.	WEENWeEn Semiconductors 瑞能半導(dǎo)體瑞能半導(dǎo)體科技股份有限公司	WEEN
BUJ105AB	文件：66.94 Kbytes Page：7 Pages	SiliconDiffusedPowerTransistor GENERALDESCRIPTION High-voltage,high-speedplanar-passivatednpnpowerswitchingtransistorinSOT404(D2-PAK)surface-mountpackageintendedforuseinhighfrequencyelectroniclightingballastapplications,converters,inverters,switchingregulators,motorcontrolsystems,etc.	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BUJ105AB	文件：460.09 Kbytes Page：9 Pages	SiliconDiffusedPowerTransistor GENERALDESCRIPTION High-voltage,high-speedplanar-passivatednpnpowerswitchingtransistorinSOT404(D2-PAK)surface-mountpackageintendedforuseinhighfrequencyelectroniclightingballastapplications,converters,inverters,switchingregulators,motorcontrolsystems,etc.	WEENWeEn Semiconductors 瑞能半導(dǎo)體瑞能半導(dǎo)體科技股份有限公司	WEEN
BUJ105AD	文件：88.49 Kbytes Page：12 Pages	Silicondiffusedpowertransistor	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
BMIS-105
功能描述：
EMI 墊圈與接地墊 Std Srfc Mnt Shields 1 Pc 1.500 x 1.000
RoHS：
否
制造商：
Gore
長度：
8 mm
寬度：
2.5 mm
厚度：
2.4 mm
產(chǎn)品類型：
Pads

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
千層芯半導(dǎo)體(深圳)有限公司	BMIS-105	LAIRD	17+	原廠原封	1450	只做原裝正品	詢價(jià)
深圳市水星電子有限公司	BMI-S-105-4	Laird	23+	NA	6156	確保原裝正品,專注終端客戶一站式BOM配單	詢價(jià)
深圳市科雨電子有限公司	BMI-S-106	LAIRD	20+	射頻元件	2255	就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問購元件!	詢價(jià)
深圳市德力誠信科技有限公司	BMI-S-106	LAIRD TECHNOLOGIES INC	2023/12/22	con	100	現(xiàn)貨常備產(chǎn)品原裝可到京北通宇商城查價(jià)格https://www.jbchip.com/index	詢價(jià)
齊創(chuàng)科技(上海,北京,青島)有限公司	BMI-S-107	LAIRD	23+	屏蔽罩	2000	原裝正品,假一罰十	詢價(jià)
艾睿國際（香港）有限公司	BMIS201C	LAIRD	2021+	SMD	100500	一級(jí)代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期排單到貨	詢價(jià)
深圳市湘達(dá)電子科技有限公司	BMIS201C	LAIRD	2022+	NA	10000	只做原裝,價(jià)格優(yōu)惠,長期供貨。	詢價(jià)
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	BMIS201C	LAIRD	23+	NA	10000	原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價(jià)格優(yōu)勢、品種	詢價(jià)
深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司	BMI-S-201-F	LAIRDTECHNO	2023+	NA	8650	一級(jí)代理優(yōu)勢現(xiàn)貨,全新正品直營店	詢價(jià)
深圳市銓博晟科技有限公司	BMI-S-201-F	STW	22+		30000	原裝現(xiàn)貨,假一罰十,可含稅原進(jìn)項(xiàng)	詢價(jià)

更多BMIS-105供應(yīng)商更新時(shí)間2024-10-26 17:13:00

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